NVMFS5C442NWFET1G单N沟道功率 MOSFET ，主要应用于高效能量转换电力电子设备NVMFS5C442NWFE适用于高功率直流转换方案优选NVMFS5C442

NVMFS5C442NWFET1G 是一款由安森美（ONSEMI）推出的单N沟道功率 MOSFET ，主要特性如下：
核心参数
‌    •‌耐压值‌：40V
‌    •连续漏极电流‌：29A（Ta）和140A（Tc）
    •‌导通电阻‌：2.3mΩ（10V/50A）
‌    •耗散功率‌：3.7W（Ta）和83W（Tc）
    •‌阈值电压‌：4V
‌    •工作温度‌：-55°C~+175°C

    •封装尺寸‌：5×6mm（DFN-5封装）
封装信息

采用 DFN-5 （5×6）封装，表面贴装，引线数量为8。 ‌
其他特性
‌    •AEC-Q101认证‌：适用于汽车电子
‌    •润湿侧翼设计‌：便于光学检测 ‌

性能优势
‌   •低损耗设计‌：导通电阻仅2.3mΩ，适合低电压大电流场景，可降低功耗。
‌    •高可靠性‌：通过 AEC-Q101 认证，符合 PPAP 流程要求，适用于汽车电子等严苛环境。
‌   •低功耗‌：输入电容2.1nF（25V时），栅极电荷量32nC（10V时），适合高频开关场景。 ‌
‌    •可湿侧翼‌：特殊工艺设计便于光学检测。
‌    •RoHS兼容‌：符合环保标准。

该器件适用于高效功率转换场景，如电源管理、汽车电子等。
NVMFS5C442NWFET1G 是 安森美 （onsemi）推出的单N沟道功率 MOSFET ，主要应用于高效能电力电子设备，以下是其核心用途及特性：
高效能量转换
该器件采用低导通电阻（RDS(on)=2.3mΩ@10V），可显著降低导通损耗，适用于高功率直流-直流转换场景，如 电源管理模块 。 ‌
紧凑型设计
封装尺寸为5x6mm（DFN-5），适合空间受限的电子设备，例如 新能源汽车 的 功率模块 或 工业控制电路 。 ‌
高可靠性
工作温度范围覆盖-55℃至+175℃，支持 AEC-Q101 认证，符合 汽车电子 及工业级产品的耐温要求。 ‌
电流处理能力
连续漏极电流最高可达140A，适用于大电流场景，如 服务器电源 或 太阳能逆变器 的功率级设计
NVMFS5C442NWFET1G 是 安森美半导体 （ONSEMI）生产的单N沟道功率MOSFET，主要应用于高效功率转换场景，具体用途包括：
高效功率转换
该器件采用 PowerFLAT封装 （5x6mm尺寸），专为紧凑型设计优化，可降低导通电阻（RDS(on) 2.3mΩ@10V），减少导通损耗。其耐压40V、连续漏极电流达140A的特性，适用于高电流场景，如直流-直流电源转换级。 ‌
汽车电子
部分型号（如 NVMFS5C442NLT1G ）通过 AEC-Q101 认证，符合汽车级可靠性标准，适用于车载电源模块等对温度稳定性要求高的场景。 ‌
工业控制
凭借高电流处理能力和低功耗特性，该系列MOSFET可应用于工业自动化领域的电源管理模块，如电机驱动系统中的电流控制单元