6.地址映射和外部存储器

本文详细介绍了S5PV210处理器的内存映射,包括DARM0、DARM1和IRAM区域。同时,阐述了内存和外存的区别,内存通过地址总线直接访问,而外存通过CPU接口连接。重点讨论了SoC常用的外部存储器类型如NorFlash、NandFlash和eMMC,以及S5PV210支持的外部存储器,如NAND Flash、OneNAND和SD/MMC/eMMC。最后,提到了开发板上外部存储器的使用情况,如NandFlash和SD卡。

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6.1.内存映射和地址映射
(1)S5PV210属于ARM的Cortex-A8架构,32位的CPU(有32根数据总线),CPU设计时就有32根地址总线和32根数据总线。32根地址总线决定了CPU的寻址空间为4G(现代CPU访问的基本单位是B,即字节1B=8b。1B需要一个地址,那么一根地址总线访存容量为1B,两根地址总线访存容量为4B,即00,01,10,11四个地址。现在大多数的CPU是32根地址总线的,访存容量为4G),那么关于这4G空间如何分配使用,即所谓的内存映射或地址映射问题。
(2)地址映射是由设计CPU的人事先设计好的,我们需要查看datasheet了解具体的地址映射。在数据手册”S5PV210_UM_REV1.1”中”section 01_overview”中的第2部分”2 MEMORY MAP”主要描述了S5PV210中的内存映射(见图1和图2)。
(3)专业术语:ROM(read only memory 只读存储器,不能直接通过地址总线写数据 );RAM(ramdom access memory 随机访问存储器);IROM(internal rom 内部ROM,指的是集成到SoC内部的ROM);IRAM(internal ram 内部RAM,指的是集成到SoC内部的RAM);DRAM(dynamic ram 动态RAM);SRAM(static ram 静态RAM);SROM(static rom或sram and rom?);ONENAND/NAND(都为NAND FLASH,ONENAND是三星的NAND FLASH芯片) ;SFR(special function register 特殊功能寄存器)。
(4)我们最好记住DARM0(0x2000_0000~0x3FFF_FFFF,512MB)和DARM1(0x4000_0000~0x7FFF_FFFF,1024MB)及IRAM(0xD002_0000~0xD003_7FFF,96KB)这三个区域的地址映射详情。


6.2.内存和外存详解
(1)内存,即内部存储器,用来运行程序的,RAM(譬如DRAM、SRAM、DDR);外存,外部存储器,用来存储数据的,ROM(譬如硬盘、Flash(Nand、iNa

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