【数电】(四)逻辑门电路

逻辑门电路

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MOS门电路

1. 输入输出的高低电平

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VIH(V In High):输入高电平
VIL(V In Low):输入低电平
VOH(V Out High):输出高电平
VOL(V Out Low):输出低电平
输入电平若在VIL(max)~0之间,即输入电平为低电平
输入电平若在VIH(min)~VDD之间,即输入电平为高电平
输出电平若在VOL(max)~0之间,即输出电平为低电平
输出电平若在VOH(min)~VDD之间,即输出电平为高电平

2. 噪声容限

在保证输出电平不变的条件下,输入电平允许波动的范围。它表示门电路的抗干扰能力
负载门输入高电平时的噪声容限:
VNH =VOH(min)-VIH(min)
负载门输入低电平时的噪声容限:
VNL =VIL(max)-VOL(max)
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3. 扇入数与扇出数

(1)扇入数:取决于逻辑门的输入端的个数。简单来说就是有多少个输入端。
(2)扇出数:是指其在正常工作情况下,所能带同类门电路的最大数目。它表示门电路的带负载能力。简单来说就是能带动多少个负载。
     (a)带拉电流负载:
       当负载门的个数增加时,总的拉电流将增加,会引起输出高电平的降低。但不得低于输出高电平的下限值,这就限制了负载门的个数。简单来说就是通过下列公式限制了负载个数,以免因输入不够而带不动负载
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      (b)带灌电流负载:
      当负载门的个数增加时,总的灌电流IOL将增加,同时也将引起输出低电平VOL的升高。当输出为低电平,并且保证不超过输出低电平的上限值。道理同上,也是为了避免带不动负载,给出公式限制。
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实际在计算扇出数时,两者都需要计算,在两者中取小值作为扇出数

4. MOS管开关
低电平高电平
截止导通

例:将MOS管看成无触点开关。
输入低电平时,断开(图a),此时输出高电平VDD
输入高电平是,导通(图b),此时输出低电平(Ron相当于MOS导通时的等效电阻,约为1kΩ以内)
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5. CMOS反相器
 N沟道P沟道
高电平导通截止
低电平截止导通
6. CMOS漏极开路门

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  1. 工作时必须外接电源和电阻
  2. 与非逻辑不变
  3. 可以实现线与功能
7. 三态输出门电路

逻辑符号:
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使能EN输入A输出L
100
111
0×高阻态

逻辑功能:高电平有效的同相逻辑门

TTL门电路

Ron>2.5KΩ高电平
Roff<0.8KΩ低电平
TTL门电路不能线与

集电极开路门:

  1. 必须外接负载电阻和电源才能正常工作。
  2. 可以“线与”。
  3. 本身逻辑不变。
### 与非逻辑门电路的工作原理 与非逻辑门(NAND Gate)是一种复合逻辑门,其实现的功能是对输入信号执行“与”操作后再取反。具体而言,当所有输入均为高平时,输出为低平;只要有一个输入为低平,则输出为高平[^1]。 #### 真值表 以下是与非门的真值表示例: | 输入 A | 输入 B | 输出 Y | |--------|--------|--------| | 0 | 0 | 1 | | 0 | 1 | 1 | | 1 | 0 | 1 | | 1 | 1 | 0 | 从上表可以看出,只有当两个输入都为高平时,输出才为低平。 #### 实现方式 在实际硬件设计中,与非门可以通过晶体管组合实现。例如,在CMOS工艺中,与非门由PMOS和NMOS晶体管构成,其中PMOS用于拉高压,而NMOS负责下拉流形成低平输出[^2]。 ```verilog // Verilog代码示例:与非门模块 module nand_gate ( input wire a, input wire b, output reg y ); always @(*) begin y = ~(a & b); // 使用Verilog表达式实现与非逻辑 end endmodule ``` --- ### 应用场景 与非门作为基础逻辑单元之一,广泛应用于字系统的构建中。以下是一些典型的应用实例: 1. **据存储** 在寄存器或触发器的设计中,与非门常被用来构建锁存器结构。通过级联多个与非门,能够实现简单的SR锁存器功能[^3]。 2. **算术运算** 字加法器、减法器等复杂计算单元通常依赖于基本逻辑门的组合,其中包括与非门。利用布尔代简化后的电路图往往能显著减少所需的物理器件量。 3. **控制逻辑** 微处理器内部的各种状态机控制器也大量采用与非门来定义条件分支路径。这种灵活性使得设计师可以根据需求快速调整算法行为而不必重新制造芯片。 4. **FPGA中的应用** 虽然现代现场可编程门阵列(FPGAs)主要基于查找表(LUTs),但在某些特定场合仍然会直接调用底层硬核资源里的固定型与非门组件来进行优化处理。 ---
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