STM32F429DISC开发板SDRAM(IS42S16400J)实验—基于STM32cubeMX HAL库

最新推荐文章于 2023-05-17 18:15:21 发布

QWQ_DIODA

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分类专栏： stm32

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前言

就在几天由于受到了一点小刺激，狠下心就把F429DISC的开发板给买了，让后就变成穷13了。

但是既然买了，就得发挥他的作用，刚好STM32F103已经学完了，拿这个新外设练练手~~~~

工具与平台

keil5 MDK
STM32cubeMX
STM32F429I discovery开发板
discovery开发板电路图
IS42S16400J技术手册
STM32F429 手册

查阅资料很重要！！！

参考原理图技术手册利用cubeMX初始化

F429的基本时钟配置和debug配置这里不做介绍

众所周知，SDRAM需要用到STM32的FMC外设
所以我们打开cubeMX的FMC界面

选择SDRAM1
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
Clock and chip enable选项

我们看原理图
在这里插入图片描述

PB5对应NE1，PB6对应CKE1
查询手册可知，PB5和PB6复用模式由SDNE1和SDCKE1
所以我们配置为：

在这里插入图片描述
这些数据我们可以查询IS42S16400J的技术手册

这里有十二位地址线

在这里插入图片描述
这张图我们知道数据宽度位16，bank数为4

上面配置完了，我们配置下面
在这里插入图片描述

SDRAM时序：
在这里插入图片描述
特征

最后记得设置PG13和PG14的LED，这里不做演示

初始化SDRAM

由图中HAL库红框的部分得知，FMC初始化后SDRAM还需要初始化
在这里插入图片描述
篮筐的部分得知，可以用初始化函数HAL_SDRAM_SendCommand()和初始化结构体FMC_SDRAM_CommandTypeDef来初始化
于是我们再查看IS42S16400J的手册

搜索初始化英文Initialization
发现
在这里插入图片描述
这里有初始化步骤
翻译一下

上电
初始化时钟延迟至少100us
在一个无效命令或空操作后执行执行预充电延迟至少100us，所有bank都需要被预充电
执行两个自动刷新周期
配置模式寄存器

上电不用多说插上电源就行
详细说一下结构体
在这里插入图片描述
上代码

//初始化时钟
	FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;
	Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;
	Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
	Command.AutoRefreshNumber = 1;
	Command.ModeRegisterDefinition = 0;
	HAL_SDRAM_SendCommand( &hsdram1,  &Command,  0xffff);
	HAL_Delay(1);
	
	//在一个无效命令或空操作后执行执行预充电
	Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;
	Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
	Command.AutoRefreshNumber = 1;
	Command.ModeRegisterDefinition = 0;
	HAL_SDRAM_SendCommand( &hsdram1,  &Command,  0xffff);
	HAL_Delay(1);
	
	//执行两个自动刷新周期
	Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
	Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK12;
	Command.AutoRefreshNumber = 2;
	Command.ModeRegisterDefinition = 0;
	HAL_SDRAM_SendCommand( &hsdram1,  &Command,  0xffff);
	HAL_Delay(1);

//配置模式寄存器
	Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
	Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
	Command.AutoRefreshNumber = 1;
	Command.ModeRegisterDefinition = 0x230;
	HAL_SDRAM_SendCommand( &hsdram1,  &Command,  0xffff);
	HAL_Delay(1);

这里说一下模式寄存器
在这里插入图片描述
A[2-0]：突发模式读取数，F429的SDRAM不支持突发模式，所以一次读一个，设置为000
A3 ：1为间隔模式即每次读取4个字节会延迟一会儿，0为连续模式，我们选择连续模式，设置为0
A[6-4]：相当于CAS，我配置的数和cubeMX一样，设置为011
A[8-7]：没用，不管
A9：突发模式写，关了，设置1
配置模式寄存器为0b10 0011 0000 即0x230

配置IS42S16400J刷新率

通过F4的手册我们可以知道，初始化完成FMC和IS42S16400J之后还得配置IS42S16400J的刷新率
在这里插入图片描述

根据提示在手册中找到FMC_SDRTR寄存器
在这里插入图片描述
F429频率为180Mhz，经过cubeMX在这里的二分频，得到90Mhz就是SDRAM时钟频率。
IS42S16400J刷新周期和行数可以在IS42S16400J得手册中查找：

4096行，刷新率64ms

所以我们可以得到Refresh Rate为1407
让后

HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1 , 1407);

将数据存入SDRAM

初始化一个于内存大小相同的数组并将该数组存放位置改变到SDRAM中

uint32_t pbuf[(1024*1024*64)/32] __attribute__((at(0xD0000000)));
/*******************************************
解释
int x __attribute__((at(ADDR)));
可以将x存放在指定的地址ADDR中
********************************************/