随机读写存储器 (SRAM存储器 && DRAM存储器)

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于 2009-06-13 15:23:00 发布 · 3.9k 阅读

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本文介绍了SRAM和DRAM存储器的基本结构和工作原理，包括SRAM的存储体、地址译码器、I/O电路和DRAM的刷新机制。同时讨论了存储器与CPU的连接方式、存储器的读写周期以及不同类型的存储器扩展方法。

存储体 ：存储单元的集合，通常用X选择线(行线)和Y选择线(列线)的交叉来选择所需要的单元。　　　

地址译码器 ：将用二进制代码表示的地址转换成输出端的高电位，用来驱动相应的读写电路，以便选择所要访问的存储单元。地址译码有两种方式。

　　　　　　　　　　　　　　　表3.3 地址译码的两种方式

单译码	适用于小容量存储器	一个地址译码器
双译码	适用于大容量存储器