<?xml version="1.0" encoding="utf-8" ?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[NETSOL的博客]]></title><description><![CDATA[]]></description><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL</link><language>zh-cn</language><generator>https://blog.youkuaiyun.com/</generator><copyright><![CDATA[Copyright &copy; NETSOL]]></copyright><item><title><![CDATA[赛普拉斯FRAM非易失性存储器FM33256B-G]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116937675</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116937675</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Mon, 17 May 2021 16:25:44 +0800</pubDate><description><![CDATA[FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。
FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外的RAM或常规的非易失性存储。该存储器真正是非易失性的，而不是由电池供电的。介绍非易失性存储器FM33256B-G]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[FRAM的应用场景]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116711526</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116711526</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Wed, 12 May 2021 16:04:28 +0800</pubDate><description><![CDATA[FRAM由于其寿命长、读写速度快等优势，因此主要应用于RFID、便携式的医疗设备、可穿戴设备、IOT设备以及车载设备等。
1.汽车：汽车行业对FRAM的需求正在快速增长。随着车用微控制器和传感器的广泛使用，汽车电子系统对数据存储的需求快速上升。智能安全气囊和先进的记忆系统已在高端汽车中应用，随着时间推移会慢慢进入大众市场。FRAM现在已应用于智能气囊、自动驾驶辅助系统（ADAS）、导航和信息娱乐系统、发动机控制单元（ECU）、事件数据记录器（EDR）、动力总成系统和电池管理系统（BMS）。
2.计量：FRA]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[铁电存储器FRAM的优劣势]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116659770</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116659770</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Tue, 11 May 2021 16:23:09 +0800</pubDate><description><![CDATA[FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势，被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司，这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证，FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。
1、 FRAM的优势：
FRAM是一种新型存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点，与EEPROM、FLASH相比，FRAM的读写更快、寿命更长，FRAM已经应用于IC卡和MCU中，预计未来具有广阔的市场前]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[Everspin MRAM增强了RIM智能电表的即时非易失性]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116534916</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116534916</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Sat, 08 May 2021 17:13:21 +0800</pubDate><description><![CDATA[今天介绍Everspin的MR25H40非易失性存储器MRAM如何在RIM的三相智能电表中提供强大的系统存储优势。
Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM专为需要数据完整性，内存可靠性和低能耗的强大环境而设计，其系统具有快速，对称的读/写性能和无限的耐用性。这些优势使RIM的三相智能电表能够快速，频繁且即时地非易失性存储关键电表数据。在断电或篡改的情况下，RIM系统能够立即将关键数据保存并保护到MRAM，而无需外部电池或超级电容器。因此在重新启动或授权访问RIM仪表后，可以立即恢复或显示仪表]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[富士通FRAM强势进击电表市场]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116534736</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116534736</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Sat, 08 May 2021 17:11:29 +0800</pubDate><description><![CDATA[工业物联网的蓬勃发展，对数据链上如数据采集、数据记录、数据处理等各个环节的应用提出了更高的要求。对于智能电表而言，数据记录及存储需要考虑准确记录、非易失性、耐久度等多个方面的需求。因此智能电表方案商需考虑挑选合适的存储产品予以应对。富士通FRAM在需要准确记录和存储智能电表重要数据的应用中、发挥着关键作用。例如电表使用的重要数据，需要在非常短的间隔(1-3次/秒)里保存在存储器，并确保掉电情况下数据依然完整。

图1：智能电表选用FRAM可确保掉电情况下数据依然完整
以256Kb独立FRAM存储器为例，每写]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[医疗刺激装置如何使用外部存储器来支持高级功能]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116534436</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116534436</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Sat, 08 May 2021 17:07:53 +0800</pubDate><description><![CDATA[随着技术的不断进步，消费类、便携式医疗设备的功能越来越强大，越来越完善，极大地提高了准确性、可靠性、连接性和易用性，同时保证了用户健康信息的安全性，价格也合理。
这些全新的高级功能需要更强的处理能力、安全性和连接性。日益增长的复杂性也要求固件/软件代码扩展，反过来不仅增加了代码，而且还提升了数据存储系统的存储器需求。这些增强功能，增加了系统的功耗预算，矛盾的是，紧凑外型的便携式医疗设备要求超长电池寿命，需要降低功耗。
系统架构师面临的首要挑战是，确定合适的片上系统（SoC）或MCU作为系统的核心。它必须能够]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[在边缘使用MRAM是其另一个潜在应用]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116131744</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116131744</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Sun, 25 Apr 2021 16:12:37 +0800</pubDate><description><![CDATA[MRAM通过外加电压控制的磁体方向来存储数据的每个bit位。如果电压低于翻转bit位所需的电压，则可能只有一位翻转。我们不希望存在这种随机性，因此采用更高电压驱动MRAM来预防这种情况发生。尽管如此，某些AI应用仍可以利用这种固有的随机性（可以将其视为随机选择或生成数据的过程）。
它可将所有权重和激活精度降低到1位，从而大大降低远边缘应用的计算和功耗要求。根据网络重新训练的方式，有可能需要进行精度的权衡取舍。尽管降低了精度，神经网络仍可以可靠地运行。
二元神经网络（BNN）的独特之处在于，即使一个数字是-1]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[高性能存储器FRAM将是提高BMS核心技术的关键元件]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116131665</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116131665</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Sun, 25 Apr 2021 16:11:16 +0800</pubDate><description><![CDATA[近年我国新能源汽车产业发展迅速，成为汽车产业的重要增长点。新能源汽车销量的快速增长自然带动了相关汽车电子产业链的发展，由于采用电力驱动，新能源汽车的结构有别于传统的燃油汽车，动力电池、电池管理系统（BMS）、整车控制单元（VCU）三大系统成为汽车的核心功能部件，汽车电子成本相比于整车价值的占比也进一步提升。
高性能存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件。无论是BMS，还是VCU，这些系统都需要实时和连续地对当前状态信息进行监控，记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性、高速、高]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[富士通FRAM是如何崛起的？]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116131616</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/116131616</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Sun, 25 Apr 2021 16:08:47 +0800</pubDate><description><![CDATA[FRAM铁电存储器是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。那么FRAM是如何崛起的呢？
以销量数据而论，FRAM一路走来已然大获成功：截止2016年富士通全球FRAM存储器累计销量已超过33亿片，其中面向世界电表客户累计交货4000万片，FRAM在威胜集团、海兴电力、林洋能源、Itron、西门子等业界主流的电表供应商中的应用渗透率非常高。在2019年富士通FRAM产品有望突破40]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[Everspin的MR3A16ACMA35 MRAM替换Fujitsu MB85R8M2T FRAM]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115303097</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115303097</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Mon, 29 Mar 2021 15:43:08 +0800</pubDate><description><![CDATA[Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin 8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引脚BGA封装。
MR3A16ACMA35的优点
与富士通FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：
•更快的随机访问操作时间
•高可靠性和数据保留
•无限的读/写耐力
•无磨损
•有竞争力的定价
•稳定的制造业供应链
•小尺寸BGA封装

图1 ]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[使用扩展SRAM设计的存内计算]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115126028</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115126028</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Tue, 23 Mar 2021 15:33:00 +0800</pubDate><description><![CDATA[最近的ISSCC上，台积电的研究人员提出了一种基于数字改良的SRAM设计存内计算方案，能支持更大的神经网络.

上图显示了台积电用于其测试的扩展SRAM阵列配置——阵列的一部分被圈出。每个切片具有256个数据输入，它们连接到“ X”逻辑（稍后将对此逻辑进行更多介绍）。数据输入向量的连续位在连续的时钟周期中提供给“ X”门。每个切片存储256个4位权重段，每个数据输入一个权重半字节。这些权重位使用常规的SRAM单元，因为它们可能会经常更新。存储在每个权重位中的值连接到“ X”逻辑的另一个输入。
下图说明了如何]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[低功耗SDRAM提供了多种选择改善待机功耗]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115125826</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115125826</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Tue, 23 Mar 2021 15:29:52 +0800</pubDate><description><![CDATA[移动或低功耗SDRAM提供了多种选择来同时改善活动和待机功耗。减少有功和备用电源可延长电池寿命并提高系统可靠性。通过考虑系统使用，工程师可以从以下节电选项中进行选择以提供较低的活动和备用电源：
•自动温度补偿自刷新（ATCSR）：片上温度传感器根据芯片温度控制刷新率。较高的温度需要更频繁的刷新。通过自动调整刷新率，可以降低功耗，尤其是在较低温度下。
•部分阵列自刷新（PASR）：PASR选择在自刷新操作期间将刷新的内存量。通过消除不必要的行激活，可以减少功耗。
•深度掉电（DPD）模式：DPD模式可切断存储]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[使用扩展SRAM设计的存内计算]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115009466</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/115009466</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Fri, 19 Mar 2021 16:31:26 +0800</pubDate><description><![CDATA[最近的ISSCC上，台积电的研究人员提出了一种基于数字改良的SRAM设计存内计算方案，能支持更大的神经网络.

上图显示了台积电用于其测试的扩展SRAM阵列配置——阵列的一部分被圈出。每个切片具有256个数据输入，它们连接到“ X”逻辑（稍后将对此逻辑进行更多介绍）。数据输入向量的连续位在连续的时钟周期中提供给“ X”门。每个切片存储256个4位权重段，每个数据输入一个权重半字节。这些权重位使用常规的SRAM单元，因为它们可能会经常更新。存储在每个权重位中的值连接到“ X”逻辑的另一个输入。
下图说明了如何]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[everspin代理并行MRAM存储芯片MR5A16A]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114936405</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114936405</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Wed, 17 Mar 2021 16:32:27 +0800</pubDate><description><![CDATA[MR5A16A是一个33,554,432位MRAM存储芯片器件，组织为2097152个16位字。MR5A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序（对于汽车温度选项为45ns），并且具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。为了简化容错设计，MR5A16A包含内部单个纠错码，每64个数据位具有7个ECC奇偶校验位。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR5A16A是理想的存储解决方案。
MR5A16A提供小尺]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[everspin代理并口MRAM存储芯片MR4A16B]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114670348</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114670348</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Thu, 11 Mar 2021 16:04:57 +0800</pubDate><description><![CDATA[MR4A16B是一个16,777,216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1,048,576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路会在掉电时自动保护数据，以防止电压超出规格的写入。为了简化容错设计，MR4A16B包含内部单个纠错码，每64个数据位具有7个ECC奇偶校验位。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR4A16B是理想的存储器解决方案。
MR4A16B提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BG]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[ISSI代理IS61WV204816ALL高速异步SRAM]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114588598</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114588598</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Tue, 09 Mar 2021 16:44:43 +0800</pubDate><description><![CDATA[ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和OutputEnable输入，可以轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。
IS6]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[everspin 256Mb DDR3自旋转移扭矩STT-MRAM]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114400069</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114400069</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Fri, 05 Mar 2021 16:03:06 +0800</pubDate><description><![CDATA[EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 I/O]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[NOR Flash如何应对“被替”风险？]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114317710</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114317710</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Wed, 03 Mar 2021 15:26:26 +0800</pubDate><description><![CDATA[NOR Flash主要用来存储代码及少量数据，近几年因5G、IoT、TWS耳机、AMOLED屏幕、TDDI等市场快速发展而备受重视。
NOR Flash和Nand Flash是目前两种主要的非易失闪存技术。NAND Flash具有“容量大、单位容量成本低”等特点是高数据存储密度的理想解决方案。而NOR Flash“读写速度快、可靠性高、使用寿命长”，多用来存储少量代码。
近一两年的NOR Flash市场得到了飞速增长。目前其全球市场规模约达到30亿美元。未来其每年市场规模增速约为8%-15%。在多数受访人看]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[MRAM工作原理技术]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114317375</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114317375</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Wed, 03 Mar 2021 15:24:37 +0800</pubDate><description><![CDATA[RAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。非易失性MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM存储器的速度结合在一起并同时始终保持非易失性和高能效。MRAM存储芯片可以抵抗高辐射及可以在极端温度条件下运行并且可以防篡改。
MRAM芯片中的数据是由磁存储元件存储。这些元素是由两块铁磁板组成的，两块铁磁板之间隔着一层薄薄的绝缘层，每一块铁磁板都能保持磁化。这种结构被称为磁隧道结(MTJ)。两块极板中的一块是在制造期间被设置为特定极性的永磁体;另一块板的磁化率可以随存储的数据进行改变。瑞]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[如何将MCU与FPGA进行配对达到提高系统效率的目的？]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114287168</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/NETSOL/article/details/114287168</guid><author>NETSOL</author><pubDate>Tue, 02 Mar 2021 15:55:21 +0800</pubDate><description><![CDATA[FPGA已经变得如此具有成本效益，因此它们越来越多地与mcu结合使用，以提高整体系统效率。用途包括在的电路板空间中添加额外的功能，为复杂算法的前端添加节能处理，聚合多个外部设备以卸载高性能MCU或作为使现有设计适应新的所需的“粘合”逻辑在接口要求方面，FPGA提供了标准MCU中常常缺乏的额外灵活性。本文将快速回顾一些的应用，其中FPGA和MCU“配对”，以展示如何通过降低功耗，减小电路板空间，提高处理性能或接口灵活性来提高系统效率，从而显着改善您的下一个设计。
FPGA作为MCU配套器件
您为设计选择的MC]]></description><category></category></item></channel></rss>