ISSI IS61WV204816ALL是高速,32M位静态RAM,组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS#为高电平(取消选择)时,器件将进入待机模式,在该模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和OutputEnable输入,可以轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable(WE#)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB#)和低字节(LB#)。
IS61WV204816ALL采用JEDEC标准的48引脚TSOP(TYPEI)和48引脚微型BGA(6mmx8mm)封装。
引脚配置

48针微型BGA(6mmx8mm) 48针TSOP,I型(12mmx20mm)
IS61WV204816AL特征
•高速访问时间:10ns,12ns
•高性能,低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚,可增强抗噪能力
•使用CS#和OE#轻松进行内存扩展
•TTL兼容的输入和输出
•单电源
–1.65V-2.2VVDD(IS61WV204816ALL)
–2.4V-3.6VVDD(IS61WV204816BLL)
•可用软件包:
-48球迷你BGA(6mmx8mm)
-48引脚TSOP(I型)
•工业和汽车温度支持
•可用无铅
•数据控制的高低字节
功能说明
sram是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
待机模式
取消选择时(CS#高)

本文介绍了ISSI IS61WV204816ALL,这是一款高速、32M位静态RAM,采用高性能CMOS工艺制造,具备低功耗特性。该SRAM支持待机、写入和读取模式,并可通过CS#和OE#进行内存扩展。此外,它还提供了48引脚TSOP和微型BGA两种封装形式,适用于工业和汽车温度范围,并支持高低字节数据控制。
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