将赛普拉斯nvSRAM替换为MRAM

赛普拉斯nvSRAM与MRAM封装替换说明
本文详细介绍了如何在44引脚TSOP-II和48球型焊盘FBGA封装中,将赛普拉斯4Mbit nvSRAM替换为MRAM,或者反之。尽管两者在封装尺寸和引脚分布上有细微差别,但通过适当的设计调整,可以在不改变PCB的情况下实现互换。主要的区别在于VCAP和特定引脚的功能,以及在替换过程中对电容器和HSB引脚的处理。

存储器芯片供应商宇芯电子本章节对赛普拉斯4Mbit(256K x 16)nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II(薄小外型封装-II 类型)和48球型焊盘 FBGA(小间距球栅阵列)封装选择中各自的引脚和封装区别进行了详细说明。
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替换 44 TSOP-II 封装选择

图1显示的是使用 44 引脚 TSOP-II 封装选择时在相同的44 焊盘 PCB 封装上将 4Mbit(x16)MRAM 替换为 4Mbit(x16)nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 44引脚的 TSOP-II 封装尺寸是相同的,如表1所示。
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44 引脚 TSOP-II 封装比较

除引脚 28(在 nvSRAM 上是 VCAP引脚,在 MRAM 上则被设计成 DC(请勿连接)引脚)外,nvSRAM 44 引脚TSOP-II 引脚的分布与 MRAM 44 引脚 TSOP-II 引脚的分布完全相同。通过创建用于将电容器连接到 nvSRAM VCAP 的空间,可不调整电路板也能将 NV-SRAM 和 MRAM 互换。

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替换 48 球型焊盘 FBGA 封装选择

图 2 显示的是使用 48 球型焊盘 FBGA 封装选择时在相同的48 焊盘

尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统,但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理。   NV-SRAM简介 在现代计算机系统中,存在大量内存。其中大多数是名称不合时宜的随机存取存储器(RAM)。这个名称意义不大,因为当今所有内存都是随机访问的。当工程师谈论RAM时,它们的意思是易失性半导体存储器,只要加电,就可以无限期地对其进行读写操作。并非总是这样。在计算机的早期,程序/数据存储的最常见形式是“核心内存”。按照现代标准,这是笨重的(更不用说昂贵了!),但是具有有用的特性:它是非易失性的。读取或写入数据需要电源,但不需要保留电源。在核心内存掉电的情况下,数据将无限期保持不变。有趣的是,掉落或振动的核心内存可能会破坏其内容,尽管现代计算机和大多数嵌入式系统的工作内存主要是RAM,但拥有大量可用的非易失性RAM(NV-SRAM)仍然很有用。这可以使用闪存或某些其他具有非易失性的存储技术(例如MRAM)来实现,也可以是带有受保护电源(例如电池)的常规RAM。嵌入式系统中NV-SRAM有许多可能的用途:•程序代码和常量数据的存储,在启动时会复制到RAM中。尽管通常可以选择执行NV-SRAM,但是某些NV-SRAM技术的速度(访问时间)使这种方法没有吸引力。•重启后保留设备设置参数。许多设备都是用户可配置的。此信息需要存储在某个地方。•长时间缓冲采集的数据,不受电源故障的影响。一个简单的例子可能是在数码相机中存储照片。
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