MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场,在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术(例如SOT-MRAM)甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。

图1 内存制造过程
由于器件架构相对复杂,因此Everspin MRAM的生产过程分为多个阶段,在CMOS背板的顶部制作了一个磁性单元(前板)。器件的测量和表征非常重要,依赖于测量工具的MRAM存储器的生产专门用于MRAM和STT-MRAM测量。
Integral Solutions Inc(ISI)生产用于MRAM开发和生产的准静态测试仪。ISI是第一家为MRAM行业制造晶圆级测试仪的公司,并且可能拥有最大的STT-MRAM晶圆级测试仪安装基础。该公司在HDD磁头行业的长期经验为他们带来了MTJ测试经验,这些经验带给了新兴的MRAM测试行业。
MRAM作为有前景的下一代非易失性存储技术,已通过ToggleMRAM和STT-MRAM进入市场并获得份额。SOT-MRAM等新技术有望替代高速SRAM应用。EverspinMRAM的生产涉及复杂的器件架构,ISI提供了用于开发和生产的准静态测试仪,成为首家为MRAM行业提供晶圆级测试仪的公司。
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