poj 1743 Musical Theme 后缀数组

通过转换问题为求最长不重叠重复子串,采用二分查找结合后缀数组的方法解决。先将原始数据转化为差值数组,再利用倍增算法求解后缀数组与高度数组,最终确定满足条件的最长子串长度。

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首先,连续的一段可以同时加减k值,不好直接求解,但是相邻两个数同时加减k 它们的差值却是不变的,所以s[]中存的不再是题目直接给的数而是它们的差值。

比如:

n=6

6个数为:1  2  3  1  2  3

s[]数组中存的则是  1  1  -2  1  1

这就转化成求不重叠最长重复子串,我们来看看这个问题怎么求解,设不重叠最长重复子串长度为len,显然长度为0至len的不重叠重复子串都是存在的,而len+1及以上都不存在,所以可以二分求解。那么二分的判断函数怎么写呢,对于i,j它们的最长公共前缀为height[i]...height[j]之间的最小值(它们的不重叠重复子串长度=min(最长公共前缀,abs( sa[i]- sa[j] ),我接下来就根据这一式子来写判断函数),假设有某个height[x]<mid 那么这个x绝对是不符合要求的。height数组中不符合要求的点都是不能选的,把两边为不能选的点,中间为height[x]>=mid 的点这样的点分成一组,显然在这样一组里任意选两个点它们的最长公共前缀都>=mid,

例如:height[]里面存的一段连续值为  {2,3,5,6,4,5,1,2}当mid==4时{5,6,4,5}就是一组,它们中间任意选两个点的最长公共前缀都>=4。

满足这一条件还要满足它们中间存在两个点i,j  它们的abs( sa[i]- sa[j] ) >=mid,所以我们可以一遍扫过去,边分组边统计这组里sa[i]最大最小值,它们的差的绝对值>=mid就ok了,说明长度为mid的不重叠重复子串是存在的。

#include <iostream>
#include <string.h>
#include <algorithm>
#include <stdio.h>
using namespace std;
const int maxn=20000+11;

/*
*suffix array
*倍增算法  O(n*logn)
*待排序数组长度为n,放在0~n-1中,在最后面补一个0
*build_sa( ,n+1, );//注意是n+1;
*getHeight(,n);
*例如:
*n   = 8;
*num[]   = { 1, 1, 2, 1, 1, 1, 1, 2, $ };注意num最后一位为0,其他大于0
*rank[]  = { 4, 6, 8, 1, 2, 3, 5, 7, 0 };rank[0~n-1]为有效值,rank[n]必定为0无效值
*sa[]    = { 8, 3, 4, 5, 0, 6, 1, 7, 2 };sa[1~n]为有效值,sa[0]必定为n是无效值
*height[]= { 0, 0, 3, 2, 3, 1, 2, 0, 1 };height[2~n]为有效值
*
*/

int sa[maxn];//SA数组,表示将S的n个后缀从小到大排序后把排好序的
             //的后缀的开头位置顺次放入SA中
int t1[maxn],t2[maxn],c[maxn];//求SA数组需要的中间变量,不需要赋值
int Rank[maxn],height[maxn];
//待排序的字符串放在s数组中,从s[0]到s[n-1],长度为n,且最大值小于m,
//除s[n-1]外的所有s[i]都大于0,r[n-1]=0
//函数结束以后结果放在sa数组中
void build_sa(int s[],int n,int m)
{
    int i,j,p,*x=t1,*y=t2;
    //第一轮基数排序,如果s的最大值很大,可改为快速排序
    for(i=0;i<m;i++)c[i]=0;
    for(i=0;i<n;i++)c[x[i]=s[i]]++;
    for(i=1;i<m;i++)c[i]+=c[i-1];
    for(i=n-1;i>=0;i--)sa[--c[x[i]]]=i;
    for(j=1;j<=n;j<<=1)
    {
        p=0;
        //直接利用sa数组排序第二关键字
        for(i=n-j;i<n;i++)y[p++]=i;//后面的j个数第二关键字为空的最小
        for(i=0;i<n;i++)if(sa[i]>=j)y[p++]=sa[i]-j;
        //这样数组y保存的就是按照第二关键字排序的结果
        //基数排序第一关键字
        for(i=0;i<m;i++)c[i]=0;
        for(i=0;i<n;i++)c[x[y[i]]]++;
        for(i=1;i<m;i++)c[i]+=c[i-1];
        for(i=n-1;i>=0;i--)sa[--c[x[y[i]]]]=y[i];
        //根据sa和x数组计算新的x数组
        swap(x,y);
        p=1;x[sa[0]]=0;
        for(i=1;i<n;i++)
            x[sa[i]]=y[sa[i-1]]==y[sa[i]] && y[sa[i-1]+j]==y[sa[i]+j]?p-1:p++;
        if(p>=n)break;
        m=p;//下次基数排序的最大值
    }
}
void getHeight(int s[],int n)
{
    int i,j,k=0;
    for(i=0;i<=n;i++)Rank[sa[i]]=i;
    for(i=0;i<n;i++)
    {
        if(k)k--;
        j=sa[Rank[i]-1];
        while(s[i+k]==s[j+k])k++;
        height[Rank[i]]=k;
    }
}

bool jud(int x,int n){
    int mi=1e9,ma=0,flag=0;
    for(int i=2;i<=n;i++){
        if(height[i]>=x){
            flag=1;
            mi=min(mi,sa[i-1]);
            mi=min(mi,sa[i]);
            ma=max(ma,sa[i-1]);
            ma=max(ma,sa[i]);
        }
        if(height[i]<x||i==n){
            if(flag&&ma-mi>=x)return true;
            ma=0;mi=1e9;
            flag=0;
        }
    }
    return false;
}

int s[maxn];

int main()
{
    int n;
    while(~scanf("%d",&n)&&n)
    {
        for(int i=0;i<n;i++)
            scanf("%d",&s[i]);
        for(int i=0;i<n-1;i++)
            s[i]=s[i+1]-s[i]+88;
        if(n==1){printf("0\n");continue;}
        n--;
        s[n]=0;
        build_sa(s,n+1,177);
        getHeight(s,n);
        int la=0,lb=n;
        while(lb-la>1){
            int mid=(la+lb)/2;
            if(jud(mid,n))la=mid;
            else lb=mid;
        }
        int ans=la+1;
        ans>=5?printf("%d\n",ans):printf("%d\n",0);
    }
    return 0;
}





资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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