BZOJ1336 [Balkan2002]Alien最小圆覆盖

本文介绍了一种寻找平面上多个点的最小圆覆盖算法。通过分析得出,最小圆覆盖通常是某两点构成的直径或某三角形的外接圆。文章详细讲解了如何使用高斯消元法确定该圆,并采用O(n^3)复杂度算法实现,通过随机化避免最坏情况。

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题意:寻找平面上n(2 <= n <= 100000)个点的最小圆覆盖。

分析:

GTK神犇讲的一道题。

首先,不难发现,最小圆覆盖必定是某两点做直径或某三角形的外接圆。

假设我们已经找到了前i-1个点的最小圆覆盖,如果第i个点没在圆内,那么前i个点的最小圆覆盖一定过这个点,这是显然的。

之后枚举另两个在圆上的点,三点确定一个圆就行。

至于怎么确定,出于我懒得解方程,就写了个高斯消元。

那,O(n^3)不会炸吗?

答案是不会,因为每个循环进的概率很低,即使他刻意卡,我们在前面用个random_shuffle就行了。

还有听说这题掉精度掉的特别厉害,于是我求dist时就求的平方,r也保存的平方,也没加什么eps,反正一遍过了。

#include <cstdio>
#include <cmath>
#include <cstdlib>
#include <algorithm>
using namespace std;

const int N = 100005;
int n;
double r,q[5][5];
struct nd {double x,y;}o,p[N];

double d(nd &a, nd &b) {return (a.x-b.x)*(a.x-b.x)+(a.y-b.y)*(a.y-b.y);}

void upd(nd &a, nd &b, nd &c) {
	q[1][1]=2*(b.x-a.x),q[1][2]=2*(b.y-a.y),q[1][3]=(b.x*b.x+b.y*b.y-a.x*a.x-a.y*a.y);
	q[2][1]=2*(c.x-a.x),q[2][2]=2*(c.y-a.y),q[2][3]=(c.x*c.x+c.y*c.y-a.x*a.x-a.y*a.y);
    for(int i = 1; i <= 2; i++)
    for(int j = 1; j <= 2; j++) if(i != j) {
        double x = q[j][i]/q[i][i];
        for(int k = 1; k <= 3; k++) q[j][k] -= x*q[i][k];
    }
    o.x = q[1][3]/q[1][1], o.y = q[2][3]/q[2][2];
    r = d(o, a);
}

int main() {
	srand(233666999);
	scanf("%d", &n);
	for(int i = 1; i <= n; i++) scanf("%lf%lf", &p[i].x, &p[i].y);
	random_shuffle(p+1, p+1+n);
	o = p[1];
	for(int i = 2; i <= n; i++) if(d(o, p[i]) > r) {
		o.x = (p[1].x+p[i].x)/2, o.y = (p[1].y+p[i].y)/2, r = d(o, p[i]);
		for(int j = 2; j < i; j++) if(d(o, p[j]) > r) {
			o.x = (p[i].x+p[j].x)/2, o.y = (p[i].y+p[j].y)/2, r = d(o, p[i]);
			for(int k = 1; k < j; k++) if(d(o, p[k]) > r) upd(p[i], p[j], p[k]);
		}
	}
	printf("%f\n%f %f", sqrt(r), o.x, o.y);
	return 0;
}
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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