PN结

1.PN结的形成。

在硅Si或锗Ge上加入3价杂质，因为共价键，会成为P型半导体。能够形成电流的，主要是空穴。

在硅Si或锗Ge上加入5价杂质，因为共价键，会成为N型半导体。能够形成电流的，主要是电子。

在晶体上，同时加上3价杂质和5价杂质，或者说，把P型半导体和N型半导体连在一起。因为二者的杂质浓度不同，会进行扩散运动。P型的空穴往N型移动，N型的电子往P型移动。留下不能移动的原子核，同时形成了一个内电场。内电场会吸引少子进行漂移运动，阻止多子的扩散运动。最终达到一个动态平衡。也就是一个PN结。

 

2.PN结的单向导电性

在P上加正电压，在N上加负电压

 

其他：

1.我们平时说电的速度和光速一样，是10的8次方，是指电场的速度。不是指电子的移动速度。

2.导体一般是低价元素，电子受到的束缚小，容易形成自由电子。绝缘体则相反。

3.这些电子啊，原子啊等微观东西，都没有完全定性。感觉是通过现象来说原理。所以在电子学习过程中，可以只记几个公式(现实的现象)来推导，不一定要像数学一样，一步一步从电子等来推。