本文详细介绍了DW06和DW07两款单节锂电保护芯片的功能与特性，包括过充过放保护、过流短路防护及内部集成的50mΩ MOSFET。对比了两款芯片的过充过放检测电压差异，同时指出它们的过流保护电压均为3A，适用于空间受限的应用场景。
DW06、DW07 为单节锂电的保护芯片，提供 过充过放、过流短路等保护功能。
单芯片内部集成 50mΩ的MOSFET，SOT-23-6封装（SOT-363），适合狭小空间。
静态功耗非常低，正常工作电路3.8uA。
DW06 与 DW07 的电路一致、区别的是 过充过放等检测电压不同。
两者的过流保护电压相同，均为 3A。估计内部是用 MOS的50mΩ内阻做的过流检测，150mV / 50mΩ = 3A
DW06D：
DW07D：
电气参数：
应用电路：
上电异常处理：（如果电路如上图，连接正确，基本不会出现这种情况。如果电路出错，可用这种方式检查）
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