Paper:Simulating Hybrid Circuits of Single-Electron Transistors and Field-Effect Transistors

本文提出了一种用于单电子晶体管(SET)的精确模型,并利用正统的单电子隧穿理论建立了该模型。模型中电流平均值作为偏置电压、栅极电压及温度的函数被详细阐述。此外,通过模拟SET与场效应晶体管的混合电路,构建了反相器、低输出阻抗SET以及电荷锁定环等电路。

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Authors:Gunther LIENTSCHNIG  , Irek WEYMANN and Peter HADLEY

Key points:1.proposed an exatrat model  for  a single electron transistor(SET)in pspice .The  Orthodox  theory of single-electron tunnneling was used in this  model  with the average  current through  the transistor being a fuction of the bias voltage, the voltage , and the temperature, the hybrid circuits of SET and FET has been simulated for constructing  the inverter , low output impedance SET(bad name!), and the charge-locked loop circuit.


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