Android Studio 开发，R文件丢失案例及解决方案汇总

最新推荐文章于 2025-09-18 19:27:08 发布
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#R文件丢失 #Android #Android Studio #解决方案

本文讲述了在Android Studio开发过程中遇到R文件丢失的问题及其解决方案，包括Clean Project、Rebuild Project、检查资源文件错误、调整自动导包设置、解决编码问题、更新SDK版本、避免大写字母或纯数字资源文件名、处理SDK路径中文问题以及注意图片资源格式。通过这些方法，开发者可以有效地解决R文件丢失的问题。

刚打开电脑想继续昨天的编程。打开android studio之后发现一堆红线，定睛一看，劳资的R文件呢？全部都是引用文件的语句错误。



目录中R文件没了。


Build -> Rebuild Project ，出现以下错误提示：

最低0.47元/天 解锁文章
flash的写保护
11-04
第一步：用spi对外部flash进行读写 第二步：控制寄存器 第三步：实现flash的写保护（里面有源代码，有datasheet，有说明文档） 注意：由于是以前才学习的时候，所写的代码，所以有点乱，但是只要改好管脚，在stm32上肯定是可以运行的。
ubnt NAND flash保护策略
whgjjim的博客
01-27 902
我的设备是er-x。考虑到网上说，erx的flash大概只能用3年，个人感觉是nand flash的频繁擦写问题，导致flash坏掉，设备无法再正常使用。这里提供了一种有效保护"路由器NAND闪存里频繁读写"问题的解决方法。
NAND Flash与NOR Flash全方位对比分析：从原理到代码实现
最新发布
weixin_44932366的博客
09-18 1724
NAND与NOR Flash对比分析摘要 本文全面对比了两种主流闪存技术的特性差异。NOR Flash采用并行架构，支持随机访问和XIP执行，适合存储关键代码，但容量较小且成本较高。NAND Flash采用串行结构，具有高密度、低成本优势，但需要ECC纠错和坏块管理，适用于大容量存储。文章详细比较了两者在性能参数、接口设计、命令序列和Linux驱动实现等方面的差异，包括读取速度、擦写寿命、硬件引脚定义和MTD设备注册流程等技术细节。通过代码示例展示了NOR的直接内存访问与NAND的复杂页操作差异，以及NOR
Nand Flash基础知识
一只青木呀
04-09 6228
闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。要读的单元Wordline=0V，-VT 的管子导通，Bitline端的传感器能够检测到，所以读到“1”，而经过写的+VT的管子不导通，传感器读为“0”。擦除前，浮栅上有可能有电子，Pwell加20V电压，经过足够时间后，由于量子隧道效应，电子从浮栅到沟道里面，完成一个Block的擦除。
Nand Flash
世事易变，匪石弗转。
04-30 3462
Nand Flash 是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅（Floating Gate）晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被存储在浮栅中，他们在无电源供应的情况下仍然可以保持。数据在 Flash 内存单元中是以电荷的形式存储的，存储电荷的多少取决于浮栅的外部门所被施加的电压，其控制了是向存储单元中充入电荷还是释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值 Vth 来表示。
闪存
VC++/MFC的专栏
12-19 1463
1、闪存(Flash Memory)闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存
STM32增强型微控制器访问NAND Flash学习笔记
08-11
STM32增强型微控制器访问NAND Flash学习笔记 本篇学习笔记主要介绍了STM32增强型微控制器访问NAND Flash的相关知识，涉及到Flash存储器的分类、NAND Flash的工作原理、HY27UF081G2A芯片的引脚功能和NAND Flash接口...
关于Nand Flash的笔记
qq_66053389的博客
08-28 1182
一点心得，一点收获。。。
5_怎么看原理图之协议类接口之NAND Flash笔记
weixin_48856218的博客
02-29 623
CE低电平选中，RE由高变为低（Nand flash收到RE由高变低时，马上准备数据，然后在RE的上升沿将数据发送出去），Nand flash 驱动数据到IO 0-7，在上升沿，2440取数据。具体的需要查看芯片手册。首先CE发出片选信号，CLE发出高电平，IO 0-7将命令驱动出去，WE写脉冲，在写脉冲的上升沿，Nand flash在上升沿，将IO 0-7中数据读取出来。CE选中，ALE、CLE低电平，2440 IO 0-7驱动 数据，WE写信号，Nand flash根据ALE、CLE低电平，读取数据。
NAND_FLASH笔记
11-18
NAND_FLASH 笔记 NAND_FLASH 是一种非易失性存储器，广泛应用于嵌入式系统、智能手机、平板电脑等设备中。下面是 NAND_FLASH 的一些重要知识点： 1. 写入和擦除机制： NAND_FLASH 的写入就是将 1 写 0，擦除就是将...
NandFlash基础知识
weixin_43819842的博客
04-02 1万+
NandFlash的基础知识
linux nand flash驱动编写
01-20
很长一段时间，nand flash都是嵌入式的标配产品。nand flash价格便宜，存储量大，适用于很多的场景。现在很普及的ssd，上面的存储模块其实也是由一块一块nand flash构成的。对于linux嵌入式来说，开始uboot的加载是硬件完成的，中期的kernel加载是由uboot中的nand flash驱动完成的，而后期的rootfs加载，这就要靠kernel自己来完成了。当然，这次还是以三星s3c芯片为例进行说明。 1、nand flash驱动在什么地方，可以从drviers/mtd/Makefile来看 obj-y += chips/ lpddr/ maps/ devic
镁光256Gb NAND Flash芯片介绍
weixin_33728708的博客
06-28 2210
总体概述该芯片是一款典型的大容量NAND Flash存储颗粒，支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.1的接口标准，采用ONFI NANDFlash的操作协议。该芯片采用Multiple-level Cell （MLC）技术，根据不同的容量，一个芯片内部封装了多个DIE（LUN），每个DIE由两个Plane构成，一个Plane可以分成2048个Block，每个Bl...
Hynix Nand Flash WP问题
fanoble的专栏
01-01 3679
  之前做项目一直没有留意NAND的写保护问题,一般就随便找个IO来控制,最近几个项目口线比较紧张,于是将WP拉到电源上了,于是...出问题了.....  先是客户反应文件会在使用过程中损坏,(怎么可能?在这个过程中并没有任何的写动作,当然,正常情况下没有写动作)而且几率很高,常温下老化一段时间就会出问题,天哪,这在以前可是从来没碰到,这可是致命的问题.问了另外几家客户,并没有发现此类问题,他们使
Nand Flash入门基本概念
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小白变大白之路
10-30 1万+
1. Nand Flash基本概念 NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。 2. Nand Flash的加工过程 NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的，硅材料被加工成晶圆(Wafer)，一片晶圆上可以做出几百颗NAND FLASH芯片。 芯片未封装前的晶粒成为Die，它是从Wafer上用激光切割而成的小片，每个Die就是一个...
NAND Flash存储器的错误管理导览
weixin_44126836的博客
05-06 561
错误管理机制通过工厂端的无效块标记、系统端的软件预检查以及使用阶段的多重算法保障，构建了一个完整的防护体系。这不仅确保了NAND Flash在存在坏块的情况下仍能可靠运行，更通过数据完整性保护与寿命优化，满足了现代存储系统对稳定性和持久性的需求。理解并遵循这些机制，有助于开发者更好地利用NAND Flash存储器，提升存储系统的整体性能与可靠性。
NAND基本概念
qq_34611687的博客
05-05 6602
1.nand基本数据结构 DEVICE： device就是封装好的nand flash单元，包含了一个或者多个target。 TARGET(chip): 一个target包含了一个或者多个lun，一个target的一个或者多个lun共享一组数据信号。每个target都由一个ce引脚（片选）控制，也就是说一个target上的几个lun共享一个ce信号。 LUN（DIE）: ...
【FLASH存储器系列十一】Nand Flash芯片使用指导之一
highman110的博客
11-18 6146
详述镁光MT29F8G08 nand flash芯片的组成结构及相关功能
SSD | （三）NAND闪存（上）
知识库搭建ing
10-14 1735
闪存是一种非易失性存储器，也就是说，即使掉电，存储在闪存中的数据也不会丢失。这是闪存能作为SSD存储介质的根本原因之一。
MINI2440开发板Nandflash烧写教程
"MINI2440 Nandflash烧写步骤主要针对使用MINI2440开发板的Linux学习者，详细介绍了如何在该平台上进行NandFlash的烧写操作。此过程通常用于系统镜像的安装或更新，是嵌入式系统开发中的重要环节。提供的链接指向了...
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