什么是Antenna Effect?
我们来看wiki对其的解释
Antenna effect, more formally plasma induced gate oxide damage, is a phenomenon of charge collection on metal lines which results in high voltage at the gate of the transitor during plasma etching and cause gate oxide breakdown
翻译过来就是:
天线效应,是一种金属线上的电荷收集现象,它会在等离子体的蚀刻过程中导致栅极的高电压,从而导致栅极氧化物击穿。通常也被叫做等离子体诱导栅氧化层损伤效应
具体来说,我们都知道芯片在制造过程中是从底层的金属M1,一层一层通过"plasma"刻蚀出来的。如下图所示,如果在刻蚀M1的过程中,M1金属过长从而导致收集了很多的电荷,那么此时就会击穿我们的Gate端Poly。
想象一下,这条长长的金属就像一根接收信号的天线一样,收集了太多的信号(电荷),从而导致了制造过程中芯片的Poly损坏,因此被称为天线效应。

通常foundry会提供一个天线比率的约束,来衡量一颗芯片发生天线效应的几率。
AntennaRatio=Exposed Metal AreaGate Area Antenna Ratio

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