【IC618-基准电路仿真】【进行中】【有部分细节待继续分析】

1、先完成基本结构的实现，不考虑电源电压

1）电路结构

使用的是吴老师视频里的电路，在这篇回答提到了：

偏置电路部分，参数设计过程已经在这篇文章中给出，不再叙述：
【IC618-偏置电路仿真】【要求电源电压2.7V~3.3V】【进行中】
基准电路图如下：

取晶体管发射极面积比1：8，上方电流镜比1：8，如果按照温度系数比为23计算，右侧电阻应为13.75$k\Omega$，但实际仿真表明，使温度系数归零的比值约为16，微调电阻至8.7$k\Omega$，实现系数归零。

有意思的是，右侧BJT-Diode压降为0.79V，但最终结果仍然稳定在1.2V左右，不知道为什么，原因待分析。

2）仿真

扫描不同vcc（3.3V~5V）下，基准电压随温度变化的曲线：

可以看到，直到电源电压达到4.27V时，特性趋于稳定
和文章【IC618-偏置电路仿真】【要求电源电压2.7V~3.3V】【进行中】中的理论分析和仿真分析一致：
即：从地开始，共计上升了：0.8（BJT-diode）+ 3Vgs + Δ \DeltaΔ =0.8+3.5=4.3V，3.3V电源无法满足
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3）结果分析

可以看到，
1、通过温度补偿机制消除了误差后，仍有非线性误差保留，差值约为2.2mV。
这部分的误差消除需要进一步分析。
2、电源电压的变化仍会引起基准电压的变化，变化率约为 6.1‰，即电源电压每变化1V，基准电压变化6.1mv，即1.23V的基准电压变化了0.5%。

2、限制电源电压为2.7V~3.3V时，电路设计

1）理论分析

采用运放构建等电位点:

左侧电阻上为PTAT电流，右侧$R_2$上方由于叠加$V_{BE}$，故适当调整晶体管发射极面积比以及电阻比，可以得到一个与温度无关的参考电压。

电源电压最低值分析：
左支：(BJT-Diode)0.6 + ($V_{R1}$)<0.1V + $\Delta$ = 0.8V
右支：(Vref)1.2 + $\Delta$