【车载开发系列】区分Flash，RAM与E2PROM的概念

【车载开发系列】区分Flash，RAM与E2PROM的概念

一. 什么是Flash

Flash就是闪存。闪存分为两种类型：一种是PFlash，另一种是DFlash。不管是Dflash还是Pflash，都要按照flash的命令去操作，按照Sector去擦写。Pflash和DFlash的应用场景是不同的。具体两者的定义如下。

1）PFlash

Pflash，就是program flash， 它通常用于嵌入式系统中存储程序代码和数据，可以被 CPU直接访问，因此读写速度较快。 Pflash 的特点是可以被反复擦写，但每次擦写都会导致一定的寿命损耗。

2）DFlash

Dflash，就是Data flash, 通常是FlexNVM，可以划分为EEPROM备份以及Dataflash， 如果是dataflash，可以与主flash并存，在主程序存储器运行时，人人可以擦写，可以用于存放bootloader代码或者大数据块。
它通常用于存储数据，例如嵌入式系统中的配置信息、日志记录等。 dflash的特点是比pflash寿命更长，但读写速度较慢。 dflash的擦写次数也有限制，但相对于pflash来说，可以更加耐用。

二. Flash与RAM的区别

如果说RAM是程序的“即时工作区”的话，那么FLASH是就数据的“长期仓库”。

特性	FLASH存储器	RAM存储器
数据持久性	断电不丢失（非易失性）	断电丢失（易失性）
读写速度	读快，写慢（需擦除块）	读写均极快（纳秒级）
擦写寿命	有限（NAND约1万-10万次，NOR约1万次）	无限（SRAM/DRAM无寿命限制）
成本	低（NAND）	较高（SRAM）或中等（DRAM）
典型应用	固件、文件存储、移动设备	程序运行、缓存、实时计算

三. EEPROM的概念

EEPROM芯片容量小,1Mb以下，芯片贵，但是在写入时不需要擦除，最小可写一个字节byte，读写的速度比较慢20Mbps，但因为写起来方便，适用于常常修改的数据，拥有100万次的寿命。
Flash芯片容量大 ，但是在写入时需要擦除。最小擦除一个扇区block，所以一般存放的数据多是读的，也可以写，读写的速度较快2.4Gbps，但是因为最小擦除要一个扇区，写起来比较麻烦。寿命在10万次。Flash是用来存储程序、代码的，在运行过程中不能改；而EEPROM是用来保存用户数据的，在运行过程中可以改变。两者在掉电时都不会丢失。一般来说E2PROM中存放开机是用到的参数，不可丢失的变量等，而FLASH中会存放程序，记录文件等。
其实呢Flash也叫做flash eeprom，也可以把EEPROM理解为Flash的一种。所以flash和eeprom是“白马”和“马”的关系。

四. Flash与E2P区别

特性	FLASH存储器	E2P存储器
读取方式	随机读取，地址直接访问	随机读取，地址直接访问
写入方式	按块写入，需要先擦除块	按字节写入，灵活度高
擦除方式	按块擦除	按字节擦除
擦除速度	快	慢
存储密度	高	低
容量	大	一般，不大
价格	便宜	贵
数据保护方式	硬件与软件保护	只有软件保护