场效应管的好坏判断方法

最新推荐文章于 2024-01-24 13:17:29 发布
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场效应管的好坏判断方法与三极管完全不同,以N沟道MOSFET为例,按如下方法进行:
1.万用表置二极管档;
2.红笔接D极,黑笔接S极应是不通的;反过来量则接应有0.5V的压降;
3.红笔接G极,黑笔接S极,也应是不通的,但此步骤很重要,已经给G极充上了电荷,此时管子已开通;
4.再次红笔接D极,黑笔接S极,此时应有零点几伏的压降,说明管子已开通;
5.表笔维持不动,用手指碰一下管子的三个极,给G,S间放电,管子关断.D,S间又不通了.
如果上述过程都正确,那么可以确定管子是好的.
如果是P沟道MOSFET,将万用表红黑表笔交换即可.
场效应管质量的好坏简易判断选择
树卡花
07-16 3182
场效应管质量的简易判断 1.结型场效应管电极的判别 根据结型场效应管的PN 结正、反向电阻值的不同.可以用万用表判别出结型场效应管的三个电极。具体方法参见图16-17 ，将万用表置R x 1k 挡，用万用表的负表笔任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极测其电阻值。 若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的电极为栅极，另外两个电极为漏极和源极，漏极和源极原则上可以互换。若两次测出的阻值都很大，可以判定是N 沟道结型场效应管;若两次测得的阻值都很小，则可判定为P 沟道结型场效应管。 2. 估测
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　1、用测电阻法判别结型场效应管的电极： 　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触...
场效应管好坏的简单判断方法
03-30
场效应管好坏的简单判断方法 精典经验的结晶
怎么用万用表检测场效应管的好坏？
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03-02 3816
方法一 将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。 方法二 将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。黑表笔接D极，...
如何判断ASEMI的MOS管10N60的三个极
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怎样用万用表判断场效应管好坏？
08-20
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qq_45508321的博客
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特别好用的Nmos，技术手册。以上，字数还不够，凑一下。IRLR7843TR--MOS IRLR7843TR--MOS
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云轩阁
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场效应管测量
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<think>好的，我现在需要处理用户关于场效应管测量方法和工具的查询。首先，我得理解用户的需求。他们可能想知道如何正确测量场效应管的参数，比如导通电阻、阈值电压等，以及需要使用哪些工具，比如万用表、示波器或者专用测试仪器。接下来，我要考虑如何组织信息，确保按照用户的要求分步骤说明，避免使用第一人称和步骤词汇。 然后，我需要调用网络搜索工具查找相关的测量方法。可能的结果包括使用数字万用表的二极管档测试导通性，测量栅源阈值电压的方法，或者使用曲线追踪仪进行特性曲线分析。同时，要注意不同的场效应管类型（如MOSFET、JFET）可能有不同的测量步骤，需要区分说明。 接下来，整合这些信息时，需要分点列出不同的方法，每个方法下详细说明操作步骤和所需工具。例如，数字万用表法可以作为一个方法，包含测试二极管特性和导通电阻的步骤。专用仪器法可能涉及曲线追踪仪或LCR表的使用，需要解释如何连接和读取数据。 同时，用户要求在每个步骤间换行，所以每个方法之间要空行分隔。还要注意引用内容不能集中到末尾，因此每个方法中提到的工具或步骤需要直接嵌入在对应的部分。例如，在说明阈值电压测量时，提到使用可调电源和电流表，并给出公式V_GS(th)=V_GS当I_D达到特定值。 另外，检查是否有需要代码或公式的部分。例如，计算导通电阻的公式R_DS(on)=V_DS/I_D，需要用行内公式格式$R_{DS(on)} = V_{DS}/I_D$。测试电路中的示例代码可能涉及Arduino控制，这时候需要用代码块正确标注语言类型。 最后，生成相关问题部分时，要基于用户的问题和回答内容。可能的问题包括如何判断场效应管好坏、不同型号的测量差异，或者替代测试工具等。确保问题符合用户可能进一步探索的方向，并且数量至少三个，使用正确的标题格式。 现在，我需要确保所有要求都被满足：分点说明、换行分隔、正确引用、无第一人称、代码公式格式正确，以及相关问题部分正确放置。检查是否有遗漏的测量方法或工具，并确认信息的准确性和实用性。完成后，按照用户指定的格式输出答案。</think>数字万用表法 选择数字万用表的二极管测试档位，将红表笔接源极（S），黑表笔接漏极（D）。正常状态下应显示开路状态；当栅极（G）施加触发电压后，导通电阻$R_{DS(on)}$应显著降低。若使用电阻档测量$R_{DS(on)}$，需确保测试电流不超过器件额定值。 专用仪器测量法 采用半导体特性分析仪或曲线追踪仪，通过扫描栅源电压$V_{GS}$并记录漏极电流$I_D$，可绘制转移特性曲线。测试时需设置$V_{DS}$为固定值（如10V），逐步增加$V_{GS}$，通过公式$$I_D = \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} \left( (V_{GS}-V_{TH})V_{DS} - \frac{1}{2}V_{DS}^2 \right)$$验证器件参数。 阈值电压测量 将栅极与源极接入可调直流电源，漏极串联电流表。缓慢增加$V_{GS}$，当漏极电流$I_D$达到特定阈值（如1mA时），此时$V_{GS}$即为阈值电压$V_{TH}$。对于增强型MOSFET，典型$V_{TH}$范围为2-4V。 动态参数测试 使用示波器配合信号发生器搭建开关测试电路，施加方波信号至栅极。通过观测漏源极电压$V_{DS}$的上升/下降时间，计算开关损耗$E_{sw} = \frac{1}{2}V_{DS}I_D(t_r + t_f)$。测试代码示例： ```arduino void setup() { pinMode(gatePin, OUTPUT); } void loop() { digitalWrite(gatePin, HIGH); delayMicroseconds(100); digitalWrite(gatePin, LOW); delay(1000); } ```
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