NMOS管在防反接电路中的运用以及电路电阻该选多大的解析

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前言

nmos在防反接中的应用

一、如图

二、说明

1.R1,R2的选择

一、电路拓扑与元件作用
首先拆解电路结构（如图所示），核心元件及连接关系如下：

Q1：N沟道增强型MOS管（NMOS，源极箭头朝里），作为电子开关，控制负载通断；
R1：串联在输入电压（VIN）与MOS管栅极（G）之间，限流电阻；
R2：并联在MOS管栅极（G）与源极（S）之间，下拉电阻（防止栅极悬空误导通）；
VD1：并联在负载两端的续流二极管（保护MOS管免受感性负载反电动势击穿）；
Load：负载（如电机、加热丝），需MOS管导通时供电。
二、关键原理：MOS管导通条件
NMOS管的核心导通条件是栅源电压（Vgs）≥阈值电压（Vth）（通常Vth=2-4V，具体值需查MOS管 datasheet）。
由于MOS管栅极输入电流极小（Ig≈0），流过R1的电流几乎全部流过R2，因此Vgs由R1和R2分压决定，公式为：


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总结

提示：这里对文章进行总结：
例如：以上就是今天要讲的内容，本文仅仅简单介绍了nmos防反接的使用