SC3D06065N-JSM 碳化硅肖特基二极管

在工业自动化、数据中心、新能源等领域高速发展的今天，电源系统对效率、可靠性与耐高温性能的要求日益严苛。传统硅基二极管受限于反向恢复损耗、高频性能不足等问题，难以满足高端电源的设计需求。作为专注于半导体领域的创新企业，杰盛微半导体（JSMSEMI）凭借对碳化硅（SiC）技术的深度钻研，推出了SC3D06065N-JSM 碳化硅肖特基二极管，以零恢复电流、高阻断电压、宽温适配等核心优势，为电源系统升级提供全新解决方案。

一、产品基础描述

     SC3D06065N-JSM 是杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的碳化硅肖特基二极管，采用DFN5060-8L 封装，具备零正反向恢复电流、650V 高阻断电压、-55 至 175℃宽工作结温等核心特性，可实现无开关损耗、高系统效率及高温应用适配，主要用于 PC 电源、服务器电源、PFC Boost 拓扑等场景；其关键参数包括连续正向电流（Tc=135℃时 7.5A）、正向电压（If=6A,Tj=25℃时典型 1.45V）、热阻（结到壳典型 2.5℃/W） ，同时明确不建议用于军事 / 航空航天、汽车或医疗设备（除非特别指定）。

二、核心特性与优势

1. 核心特性（Features）

• 电流特性：零正反向恢复电流（Zero Forward/Reverse Recovery Current），避免反向恢复损耗，适配高频场景。

• 电压特性：高阻断电压（High Blocking Voltage），最大阻断电压达 650V，满足中高压应用需求。

• 频率特性：支持高频工作（High Frequency Operation），适合高开关频率的电源拓扑。

• 温度特性：正向电压（VF）具有正温度系数（Positive Temperature Coefficient on V），且开关行为不受温度影响（Temperature Independent Switching Behavior），适配宽温环境。

• 电流耐受：高浪涌电流能力（High surge current capability），可承受短时大电流冲击。

2. 核心优势（Benefits）

• 效率提升：无开关损耗（No Switching loss），显著提高系统效率（Higher System Efficiency）。

• 并联便利：正向电压正温度系数，避免热失控，便于多器件并联使用（Parallel Device Convenience without thermal runaway）。

• 环境适配：支持高温应用（Higher Temperature Application），工作结温范围宽（-55 至 175℃）。

• 可靠性：硬开关特性（Hard Switching）结合宽温设计，提升产品可靠性（Higher Reliability）。

• 环保性：具备环境保护（Environmental Protection）相关设计，符合绿色电子需求。

三、关键参数详情

1. 最大额定值（Tc=25℃除非特殊说明）

2. 电气特性（测试条件明确，含典型值 / 最大值）

注：该器件为多子二极管（majority carrier diode），无反向恢复电荷（no reverse recovery charge）

3. 热特性

四、重新定义高效：碳化硅肖特基二极管的核心突破

相较于传统硅二极管，杰盛微 SC3D06065N-JSM 最大的技术亮点在于 **“零正反向恢复电流” 特性 **。这一特性源于碳化硅肖特基二极管的独特结构 —— 通过金属与碳化硅半导体形成肖特基结，电流仅由多子（电子）输运，不存在少子存储效应，彻底消除了传统 PN 结二极管开关时因少子复合产生的反向恢复损耗。

从实际应用来看，反向恢复损耗是制约电源效率的关键因素之一。尤其在高频开关场景中，传统硅二极管的反向恢复电流会导致额外的功率损耗，同时引发电压尖峰与电磁干扰（EMI），不仅降低系统效率，还需额外设计缓冲电路来抑制干扰，增加了设计复杂度与成本。而 SC3D06065N-JSM 凭借零恢复电流特性，可实现 “无开关损耗” 运行，配合其 “高频工作能力”，能轻松适配 1MHz 以上的开关频率，让电源系统效率提升至新高度。

此外，该器件还具备正向电压正温度系数与温度独立开关行为两大特性。正向电压随温度升高略有上升的特性，使得多器件并联时不会出现某一器件因温度过低、电压过小而承担过多电流的 “热失控” 问题，极大简化了大功率电源中多器件并联的设计难度；而开关行为不受温度影响的优势，则确保其在 - 55℃至 175℃的宽工作结温范围内，始终保持稳定性能，完美适配工业高温环境与极端气候场景。

五、硬核参数加持：满足多场景严苛需求

一款优秀的半导体器件，不仅需要领先的特性，更需扎实的参数作为性能支撑。杰盛微 SC3D06065N-JSM 在关键参数上的表现，充分展现了其在中高压电源领域的适配能力。

在电压耐受方面，该器件的峰值重复反向电压（VRRM）、峰值反向浪涌电压（VRSM）与 DC 阻断电压（VR）均达到 650V，可稳定应对中高压电源场景中的电压冲击，避免器件击穿风险，为电源系统的安全运行提供可靠保障。

电流承载能力上，SC3D06065N-JSM 展现出出色的适应性。在壳温（Tc）为 135℃时，其连续正向电流（IF）可达 7.5A；即使壳温升至 148℃，仍能保持 6A 的连续正向电流，满足高温环境下的功率输出需求。更值得关注的是其浪涌电流耐受能力 —— 在 25℃环境下，10ms 半正弦脉冲的非重复正向浪涌电流可达 33A，10μs 方波脉冲下更是高达 200A，能轻松应对电源启动、负载突变等场景下的短时大电流冲击，大幅提升系统抗干扰能力。

热管理性能同样亮眼。器件的结到壳热阻（Rth (j-c) 仅为 2.5℃/W） ，意味着热量能快速从芯片核心传递至外壳，配合 60W 的总功率 dissipation（Tc=25℃），即使在高功率运行状态下，也能有效控制结温，避免因过热导致的性能衰减或器件损坏。

六、广泛应用场景：从数据中心到工业电源的全面覆盖

凭借卓越的性能与可靠的参数，杰盛微 SC3D06065N-JSM 已成为多个高端电源场景的理想选择，其应用范围涵盖：

• PC 电源与服务器电源：数据中心服务器对电源效率与稳定性要求极高，SC3D06065N-JSM 的零开关损耗与高频特性，可助力服务器电源实现更高转换效率，降低机房能耗；同时宽温特性确保其在服务器密集部署的高温环境中稳定运行。

• PFC Boost 拓扑电路：功率因数校正（PFC）是电源系统的核心环节，该器件的高阻断电压与低正向压降，能有效提升 PFC 电路的功率因数与效率，满足日益严格的能效标准（如 80PLUS 钛金认证）。

• AC/DC 与 DC/DC 转换器：在工业自动化、新能源充电桩等领域，AC/DC 与 DC/DC 转换器需要频繁切换工作状态，SC3D06065N-JSM 的快速开关特性与抗浪涌能力，可减少转换损耗，提升转换器的响应速度与可靠性。

• 不间断电源（UPS）：UPS 作为关键设备的 “电力保镖”，需在断电瞬间快速切换供电，该器件的高可靠性与宽温适配能力，确保 UPS 在极端情况下仍能稳定输出，保障设备安全。