【AjaxPro实现机制浅析一】AjaxPro内部为我们做什么工作?

本文通过一个简单的示例详细解析了AjaxPro的工作原理和技术实现细节,包括如何生成客户端所需的JavaScript文件及Ajax请求处理流程。

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先找个借口 :好早就想分析下AjaxPro的代码实现机制了,一直苦于没时间,现在嘛总算有那么丁点了,开篇了,慢慢分析……

以一个最简单的例子开始:
点击一个客户端button,触发一个javascript函数,执行一个只有一个string参数的服务端方法,返回一个处理过的string,处理方法是将传入的string变成“Hi”+string +“!”;够简单了,为了是不希望罗嗦的代码影响简单的分析;
所有代码如下:
Test.aspx

Test.aspx.cs

AJAXDemo.Examples.Test.TestMethod

1.首先我们看AjaxPro在页面上给我们生成了什么?
Test[1]

一定要注意这几行
< script type = " text/javascript "  src = " /AJAXDemo.2/ajaxpro/prototype.ashx " ></ script >
< script type = " text/javascript "  src = " /AJAXDemo.2/ajaxpro/core.ashx " ></ script >
< script type = " text/javascript "  src = " /AJAXDemo.2/ajaxpro/converter.ashx " ></ script >
< script type = " text/javascript "  src = " /AJAXDemo.2/ajaxpro/AJAXDemo.Examples.Test.TestMethod,App_Code.urx4hqkg.ashx " ></ script >

通过使用 http://localhost:3578/AJAXDemo.2/ajaxpro/prototype.ashxhttp://localhost:3578/AJAXDemo.2/ajaxpro/core.ashx不难发现,其中前面两个是源代码中带的两个js文件(core.js和prototype.js)转化出来的,基本内容也跟原来的文件一样,而converter.ashx和AJAXDemo.Examples.Test.TestMethod,App_Code.urx4hqkg.ashx里面有什么呢?看下面:
AJAXDemo.Examples.Test.TestMethod,App_Code.urx4hqkg.ashx

converter.ashx

正因为是有了上面四个ashx文件我们的
function doTest() 
{
    AJAXDemo.Examples.Test.TestMethod.GetTest(
"AjaxPro",doTest_callback);
}
才得以异步执行,这些ashx文件又是怎么生成到页面上的,那得归功于web.config的相关配置和下面这句代码:
Utility.RegisterTypeForAjax(typeof(AJAXDemo.Examples.Test.TestMethod));

至于Utility.RegisterTypeForAjax方法产生的一序列动作我将在后文中继续说明,有兴趣的可以自己跟踪下这些代码的执行。
[未完待续]

http://hedonister.cnblogs.com/archive/2006/03/16/351552.html


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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