SLC:Single-Level Cell 单层单元 1bit/cell 0 1 一单元存放两个状态
MLC:Multi-Level Cell 多层单元 2bit/cell 00 01 10 11 一单元存放四个状态
TLC:Trinary-Level Cell 三层单元 3bit/cell 000 001 010 011 100 101 110 111 一单元存放八个状态
三者物理结构相似
单元存储的状态越多,处理起来越慢,而且寿命短,相反价钱越高
本文介绍了三种闪存技术:SLC(单层单元)、MLC(多层单元)及TLC(三层单元)的工作原理及特点。其中,SLC每个单元存储1比特,提供较快的速度和较长的寿命;MLC每个单元存储2比特,平衡了成本与性能;TLC每个单元存储3比特,在容量与成本方面更有优势,但速度较慢且寿命较短。
SLC:Single-Level Cell 单层单元 1bit/cell 0 1 一单元存放两个状态
MLC:Multi-Level Cell 多层单元 2bit/cell 00 01 10 11 一单元存放四个状态
TLC:Trinary-Level Cell 三层单元 3bit/cell 000 001 010 011 100 101 110 111 一单元存放八个状态
三者物理结构相似
单元存储的状态越多,处理起来越慢,而且寿命短,相反价钱越高
873

被折叠的 条评论
为什么被折叠?