bzoj2152: 聪聪可可(点分治)

本文深入探讨了一种解决特定类型图论问题的有效方法——点分治算法。通过具体实例介绍了如何利用该算法来减少枚举操作的时间复杂度,并详细解释了代码实现过程。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

题目传送门
哇有意思。

解法:
这道题做了两天了。。
贼难受。。
因为这道题不可能n方枚举。
但是一旦确定了最近公共祖先之后。
只用枚举整一棵的点就行了(因为他肯定经过最近公共祖先嘛)
但是每个点都有可能作为最近公共祖先呀。
所以我们就希望对于每个最近公共祖先,它整一棵树的节点数尽量少咯。
点分治嘛,让他分得更平均。
不会点分治可以看这里

那么在确定最近公共祖先之后怎么做呢。
枚举子树的每一个节点,每个节点到最近公共祖先的距离都是确定的。
把距离%3存起来。
t[i]表示距离%3=i的点数
那么答案就为t[1]*t[2]*2+t[0]*t[0]

还有一个问题:
确定最近公共祖先之后。
子树内的点虽然祖先是你但是最近公共祖先不一定是啊。
如果最近公共祖先不是你的话,那么他一定是从同一棵子树来的。
所以算答案的时候要减去每一棵子树的答案。

代码实现:

#include<cstdio>
#include<cstring>
#include<cstdlib>
#include<iostream>
#include<algorithm>
using namespace std;
struct node {
    int x,y,next,c;
}a[41000];int len,last[21000];
void ins(int x,int y,int c) {
    len++;
    a[len].x=x;a[len].y=y;a[len].c=c;
    a[len].next=last[x];last[x]=len;
}
int G,sum,tot[21000];
int f[21000];bool v[21000];
void getrt(int x,int fa) {
    tot[x]=1;f[x]=0;
    for(int k=last[x];k;k=a[k].next) {
        int y=a[k].y;
        if(y!=fa&&v[y]==false) {
            getrt(y,x);
            tot[x]+=tot[y];
            f[x]=max(f[x],tot[y]);
        }
    }
    f[x]=max(f[x],sum-tot[x]);
    if(f[G]>f[x])
        G=x;
}
int t[4];
int d[21000];
void Dp(int x,int fa) {
    t[d[x]]++;
    for(int k=last[x];k;k=a[k].next) {
        int y=a[k].y;
        if(v[y]==false&&y!=fa) {
            d[y]=(d[x]+a[k].c)%3;
            Dp(y,x);
        }
    }
}
int find(int x,int v) {
    t[0]=t[1]=t[2]=0;d[x]=v%3;
    Dp(x,0);
    return t[1]*t[2]*2+t[0]*t[0];
}
int ans=0;
void solve(int x) {
    ans+=find(x,0);v[x]=true;
    for(int k=last[x];k;k=a[k].next) {
        int y=a[k].y;
        if(v[y]==false) {
            ans-=find(y,a[k].c);  //减去同一棵子树来的点,同一棵子树来的点最近公共祖先肯定不是我啦
            G=0;sum=tot[y];
            getrt(y,0); //往下分
            solve(G);
        }
    }
}
int gcd(int a,int b) {
    if(a==0)
        return b;
    return gcd(b%a,a);
}
int main() {
    int n;scanf("%d",&n);
    len=0;memset(last,0,sizeof(last));
    for(int i=1;i<n;i++) {
        int x,y,c;scanf("%d%d%d",&x,&y,&c);c%=3;
        ins(x,y,c);ins(y,x,c);
    }
    memset(v,false,sizeof(v));
    G=0;sum=n;f[0]=20001;
    getrt(1,0);  //点分治
    ans=0;solve(G);
    int A=n*n;
    int d=gcd(ans,A);
    ans/=d;A/=d;
    printf("%d/%d\n",ans,A);
    return 0;
}
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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