无缘晶振匹配电容计算方法

以前设计晶振部分电路是按照网上原理图一大抄来的，平常应用没有问题，如果在对晶振频率要求比较高的场合就很有问题了，现在以我的观点来说说晶振的匹配电容是怎么计算来的，如果不想往下看，也可以记住一个经验值：大约为晶振数据手册的匹配电容的1.5倍左右

1、基础知识

1.1 晶振数据手册相关参数

以下所有参数来自于台湾晶技 HC-49SMD 8M 20pF 20ppm的无缘晶振，相关参数如下图所示：

1.1.1 Frequency Tolerance（频率误差）

频率误差也叫为调整频差，指的是在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。每个器件都存在一定的误差， 该值也是表征频率值的误差，单位为PPM(百万分之一， 10的6次方)，例如标称频率为10MHz的晶振，如果为1PPM，那么频率偏差为10Hz。上图我们看到误差为30PPM，标称频率为8M，那么误差为±240Hz。若晶振是74.25MHz，实际用频率计测量是74.24MHz。如果以该频率计测量结果为准的话，那么晶振的误差为：
（74.24-74.25）/74.25≈0.000135=135*10^-6，计算结果误差是135PPM。

1.1.2 Shunt Capacitance (C0)（寄生电容）

寄生电容指的是晶体两个管脚之间的寄生电容，在计算晶振的负载电容时需要将这个值考虑上，上图的晶振寄生电容为7pF。

1.1.3 Load Capacitance (CL)