存储器（Flash、RAM、ROM等）知识普及

最新推荐文章于 2023-11-19 21:55:57 发布
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分类专栏： 电子 文章标签： Flash EEPROM SRAM DRAM SDRAM
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一、EEPROM,EPROM,FLASH 

1、EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。

EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。

技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

2、其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：
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