硬件基础（3）：三极管（7）：漏电流Iceo

三极管的漏电流是指在三极管的各个电极之间，尤其是集电极和发射极之间，未加电压时或在工作条件下的微小电流。漏电流是由于三极管内部的杂质或不完全的结阻造成的，即使没有外部电流输入，仍然可能有少量电流流动。

对于NPN和PNP型三极管，漏电流通常是指以下两种情况：

1. 集电极-发射极漏电流（IC）：这是集电极和发射极之间的漏电流，当三极管处于截止状态时（基极电流为零），由于结的反向偏置，少量的载流子（如热激发的电子或空穴）通过集电结流动。
2. 基极-发射极漏电流（IB ）：当基极与发射极之间的PN结反向偏置时，也可能产生漏电流，通常是由热激发的载流子通过基区流动。

漏电流的大小与温度、材料的质量以及三极管的工作条件相关。漏电流过大时，三极管的性能可能下降，影响电路的稳定性和功耗。特别是在低电压应用中，漏电流往往变得更为显著。

单纯从“放大”的角度来看，我们希望β值越大越好。可是，三极管接成共发射极放大电路时，如下面电路图，从管子的集电极c到发射极e总会产生一有害的漏电流，称为穿透电流Iceo，它的大小与β值近似成正比，β值越大，Iceo就越大。Iceo这种寄生电流不受Ib控制，却成为集电极电流Ic的一部分，Ic＝β*Ib＋Iceo。值得注意的是，Iceo跟温度有密切的关系，温度升高，Iceo急剧变大，破坏了放大电路工作的稳定性。所以，选择三极管时，并不是β越大越好，一般建议取硅管β为40～150，锗管取40～80。

在常温下，锗管的穿透电流比较大，一般由几十微安到几百微安，硅管的穿透电流就比较小，一般只有零点几微安到几微安。Iceo虽然不大，却与温度有着密切的关系，它们遵循着所谓的“加倍规则”，这就是温度每升高10℃，Iceo约增大一倍。例如，某锗管在常温20℃时，Iceo为20μA，在使用中管芯温度上升到50℃，Iceo就增大到160μA左右。测量Iceo的电路很简单，如下图，三极管的基极开路，在集电极与发射极之间接入电源VCC（6V），串联在电路中的电流表（可用万用表中的0.1mA挡）所指示的电流值就是Iceo。

示的电流值就是Iceo。