加入二极管的NE555 PWM 电路

只用电阻、电容构成的一般定时电路的占空比无法低于50%，如下图：

电容的充电路径上串联了R1 和R2，而放电路径上只有R2，所以放电的时间不可能比充电长。加入二极管就能解决这个问题，用二极管把充电和放电路径分离开，两个路径上的电阻可以独立的调整，占空比也就能随意控制了。

用二极管隔离路径

充电路径经过R1、D1，放电则经过R2，D2。R1 小于R2，所以这个取值对应的占空比很小。看仿真图：

NE555 的TRG 和THR 引脚分别对应了一个电压阈值，THR 高于TRG，方波电路一般都把这两个引脚接一起。

1. 初始状态电容电压**V(PR2)**低于TRG 阈值，NE555 输出高电平，此时放电引脚DIS 为高阻态，就是没接通；
2. 在绿色线的峰值处，电容充电到电压高于THR 时，放电引脚DIS 输出低电平，导致二极管D1 截止，D2 导通，于是开始放电，同时输出切换为低电平；
3. 电容一直放电到电压低于TRG 阈值，放电终止，D2 截止，D1 导通，电容又开始充电，同时输出切换为高电平，一个周期完成；

可见，这种PWM 电路，高电平对应电容的充电时间，低电平对应放电时间。所以如果放电时间不能大于充电，那占空比就不会小于50%。当然可以在NE555 的输出加个NPN 三极管，让输出反相，这样占空比就只能低于50% 了。

周期不变，占空比可调

这种电路可以用电位器代替两个独立的电阻，使充电时间增加，放电时间就对应缩短，反之亦然，于是方波周期就基本不变，只改变占空比。

充电路径是R0、R1、D1，放电路径是R1、R2、D2。R0 阻值等于R2，且远小于R1，所以占空比基本只取决于电位器R1 的位置。如果保证R0 等于R2，高低电平总时间就取决于R1 的总阻值加R0。R0 相比R1 不能太大，不然占空比就无法接近0% 和100%。

漏电流

另外，要注意二极管反向漏电流参数。比如肖特基二极管，反向漏电流可能在0.01 到0.1mA 这个级别；5V 电压下，电容经过200k 电阻的放电电流也就是0.02mA 左右，反向漏电流太大，二极管就起不到隔离路径的作用了。NE555 的THR 和TRG 引脚也会有一定的漏电流，大约是2uA 到500nA 这个程度。如果充放电电阻过大，电流过小，所有这些漏电流都会造成显著影响。还不能忘了电容本身的漏电流，电解电容漏电流相对较大。