电子元器件 - mos管

目录

1、增强型nmos

（1）nmos实际可以作为一个开关，将其栅极接单片机io口，三极管与单片机共地，即可控制开关开闭状态。

（2）nmos如何选型：封装、Vgsth、Rdson、Cgs

（3）nmos原理

2、pmos

（1）pmos原理

3、nmos和pmos的区别

4、mos管和三极管的区别

（1）mos管是电压控制元件，三极管是电流控制元件

（2）mos管导通阻抗小

（3）各自的优势

mos管优势

三极管优势

5、IGBT：mos管+三极管

6、继电器与mos管

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1、增强型nmos

（1）nmos实际可以作为一个开关，将其栅极接单片机io口，三极管与单片机共地，即可控制开关开闭状态。

gate给高电平时，nmos导通；低电平时，nmos关闭。

注：正常工作必须保证所有模块共地：

在数字电路中，要判断一个电平信号的高低，就需要一个标准来判断，这个判断标准就是0电平(也叫地），要把所有IC芯片的地连在一起，这就是共地。

在模拟电路中，也需要参照一个电平来表示信号，但是模拟电路对地线没有什么要求，只要有驱动电源就行了。

在实际中，各处的零电位实际上是不太相同的，将地线接在一起是为了统一零电位，以保证各处的电压，即电势差有统一的关系。即统一基准。

通常，在数字电路和模拟电路合用时，工业上规定只能有一个共地。这在一般数字电路的书中能找到。

（2）nmos如何选型：封装、Vgsth、Rdson、Cgs

• 封装：nmos的外形和种类。一般来说，封装越大，能承受的电流也就越大。

  

• Vgsth：nmos可以等效为一个电压控制的电阻。电压指G、S两端的电压差，即Vgs；电阻指D、S之间的电阻，即Rds。电阻的大小随着GS电压的变化而变化。Vgsth即打开nmos需要的gs电压。显然，Vgsth要小于高电平对应的电压值。

• Rdson指的是mos管被完全打开时的DS电阻，阻值越小越好。阻值小，相应的价格高，体积大。

• Cgs：g、s之间的寄生电容，影响nmos的打开速度，因为加载到gate端的电压，首先给电容充电，这对于高速的pwm波是致命的，当pwm的周期接近于爬升时间时，波形就会失真。