本文探讨了金属与半导体接触时的功函数概念，包括金属和半导体的功函数差异、接触电势差以及表面态对能带弯曲的影响。表面态由于吸附的外来原子或离子导致半导体表面呈现电中性、施主型或受主型特性。巴丁模型解释了高密度受主表面态如何屏蔽金属对半导体能带弯曲的作用。整流理论分析了不同电压下金属-半导体接触的电流变化，涉及扩散理论和热电子发射理论，并讨论了镜像力对势垒的影响。最终，文章提到了通过重掺杂实现欧姆接触的方法。
功函数：金属的功函数石真空中静止电子的能量和费米能级的差值。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱。
半导体的功函数：同金属
但是半导体存在电子亲和能。导带底和真空能级的差值。
接触电势差：真空中的能级E0是相同的，费米能级是相同的，所以需要有能带弯曲，功函数小的那个能带向下弯曲，功函数大的能带向上弯曲。
对于n型半导体而言，能将电子导出的接触是形成反阻挡层的，也就是说能带要向下弯曲，否则形成阻挡层。
对于P型半导体而言，能将空穴导出的接触是反阻挡层，也就是能带向上弯曲。
接触电势差： 说明白金属一侧的势垒高度是Wm-x
半导体一侧的势垒高度是Wm-Ws
表面态：
按照剧本，势垒高度应该和金属功函数线性变化，事实并非如此，因为有表面态的影响。
表面态：表面晶格不完整而吸附外来原子或离子，他是局域在表面附近的新电子态。 表面态中性能级qfai0.
一般表面态在半导体表面禁带中分布，表面处存在一个距离价带顶为qfai0的能级，电子正好填满qfai0以下的所有表面态时候，表面呈电中性。Qfai0以下的表面态空着的时候，表面带正电，呈现施主型，qfai0以上的表面态填充时候，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体而言，qfai0约为禁带宽度的1/3.
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