135 注意事项

本文介绍了如何将P60P61设置为真开漏口并输出高电平的方法,需要外接上拉电阻。此外还探讨了DAC模块的特性及其在比较器模块中的应用。

1.P60 P61 做输出为真开漏口,要想输出高电平 需要外接上拉电阻

 

2.DAC部分驱动能力很弱,DAC模块在比较器模块中。

CGC->PER1 |= CGC_PER1_PGACMPEN_Msk;
	CMP_VREF_Init(CMP_CHANNEL_0,CMP_VDD_VSS_REFERENCE_VOLTAGE);
	CMP_VREF_Set_Value(CMP_CHANNEL_0,0);
	TESOPT = 0x3D;
	TESCTL  |= 1<<6;

 

<think>嗯,用户这次聚焦在PCIe的Layout设计注意事项上,看来是个硬件工程师或者PCB设计师。之前我已经系统介绍过PCIe协议基础,现在ta需要更落地的设计指导。用户引用了5份资料,其中[^1][^2]专门讲PCIe 5.0/通用Layout,[^3][^4]涉及信号完整性和版本差异,[^5]虽然是SPI设计但也有参考价值。 用户可能正在画PCIe 4.0以上版本的高速板,因为引用的资料集中在高端规范。要注意ta没明确说具体版本,所以回答要覆盖通用原则同时突出5.0/6.0的特殊要求。从引用[^3]看,ta应该关心过孔处理、参考平面这些细节,上次回答的差分阻抗公式$Z_{diff} = \frac{2Z_0(1-k)}{\sqrt{1-k^2}}$可能也需要深化。 需要重点组织这些内容:先强调参考平面完整性(用户引用[^3]提到GND参考层),特别是挖空处理;然后讲阻抗控制,引用[^1]的100Ω±5%要强调;过孔部分结合引用[^3]的"换层需伴随GND过孔"展开;AC耦合电容布局单独列项,因为引用[^3]图示很关键;最后补充新材料要求(特别是PCIe 5.0以上用Megtron6)。 布局布线部分要把用户分散的引用整合:走线长度限制(引用[^3]的5英寸)、等长±5mil(引用[^3])、避免直角(引用[^5]的3H原则引申)。对高速版本要补充背钻(引用[^1])、玻纤效应(引用[^2])等新问题。 仿真验证环节用户没提但必须包含,引用[^2]提到信号完整性分析,这里加入S参数和TDR的具体指标。最后用流程图展示设计流程,把用户引用的各个知识点串联起来。 </think>以下是PCIe接口Layout设计的核心注意事项,结合信号完整性、电磁兼容性及高速设计原则整理: ### 一、参考平面与阻抗控制 1. **参考平面要求** - 差分线必须以**完整GND层**作为参考平面 - 禁止跨越电源分割区,参考平面边缘需内缩$3H$($H$为线到参考层距离)[^3] - 关键区域挖空处理: ```plaintext | 器件引脚处 | AC耦合电容下方 | 连接器焊盘 | |-----------|----------------|-----------| | 第二层GND挖空 | 所有层GND挖空 | 邻近层挖空 | ``` 2. **阻抗控制** - 差分阻抗:$100\Omega \pm 5\%$(PCIe 3.0+/4.0+要求±3%)[^1] - 单端阻抗:$50\Omega \pm 10\%$ - 过孔阻抗补偿:采用**泪滴焊盘**或**反焊盘尺寸优化** $$ Z_{via} \approx \frac{87}{\sqrt{\varepsilon_r +1.41}} \ln \left( \frac{5.98H}{0.8D_1 + T} \right) $$ ($H$:介质厚度,$D_1$:钻孔直径,$T$:铜厚) ### 二、走线规则 | **参数** | PCIe 3.0要求 | PCIe 4.0+/5.0强化要求 | |--------------------|--------------------|--------------------------| | 走线长度偏差 | ±5mil(含Pin Delay)| ±2mil[^1] | | 过孔数量 | ≤2个(板内) | ≤1个 | | 过孔伴地孔 | 换层处加GND过孔 | 每信号孔配2个GND过孔 | | 弯曲角度 | ≥135° | 圆弧倒角(半径≥5W) | | 邻近走线间距 | ≥3W(W=线宽) | ≥5W[^2] | > **注**:PCIE 5.0需控制板内走线≤5inch(12.7cm),外接电缆≤1m[^3] ### 三、AC耦合电容布局 ```mermaid graph LR A[发送端芯片] --> B[AC耦合电容] --> C[接收端] ``` 1. **位置优先级**: - 首选靠近**发送端**(TX芯片) - 次选靠近连接器(若为插卡设备) 2. **布局要点**: - 电容下方所有层GND挖空[^3] - 差分对电容**对称放置**,容值匹配±1% - 0402封装优于0603(减小寄生电感) ### 四、电源与EMC设计 1. **电源隔离** - 采用**π型滤波器**:$10\mu F + 0.1\mu F + 磁珠$ - 电源层分割间隙≥40mil(避免串扰) 2. **屏蔽措施** - 金手指区域加**接地铜带** - 差分线两侧加**GND屏蔽过孔**(间距≤λ/10,λ为最高频波长) - 连接器金属外壳多点接地 ### 五、高速版本升级要点 | **特性** | PCIe 4.0/5.0新增要求 | |----------------|------------------------------| | 板材 | 低损耗基材(Dk≤3.5, Df≤0.005)| | 表面处理 | 选择ENEPIG(非沉金) | | 背钻深度 | 残桩≤10mil(5.0要求≤5mil) | | 玻纤效应补偿 | 采用**交织玻纤布** | > **案例**:PCIe 5.0 x16通道需进行**3D全波电磁仿真**,确保插损≤-36dB@16GHz[^1] --- ###
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