SPI 刷屏测试&程序运行在SRAM

测试刷新240x240 项目，测试发现读取FLASH和计算开销比较大，如果不放在RAM中执行，差不多要150ms.刷新一次。

如果放在RAM中执行，大概需要100ms.速度瞬间提升1/3。代码方面如果有些地方不需要inline.即使设置为inline也没有用，或者强制force inline.或者改成宏。

测试发现单片机在高速刷新 LCD和读取SPI FLASH时候，整个过程耗电会加大。如果供电不足，会看见闪烁。加外部电源就正常了。

RAMCODE，在scater文件中，配置，例如 *.o(RAMCODE) ，在需要把代码标准为SRAM中运行试试，加入

#pragma arm section code = "RAMCODE"

// user code

#pragma arm section code

设置成功与否在map文件看看 这部分的.o是不是在RAM地址范围，可以debug看代码位置，这部分代码其实上上电的过程中，从FLASH中复制到SRAM中的。