在测试功率MOS管的GS端波形时,采用高压差分探头或普通无源探头,出来波形在开通米勒和关断米勒平台处可能会出现震荡,例如下面:
由于探头会承受比较大的dv/dt共模干扰,桥式电路中,上管的G端共模电压可达几百V,探头共模抑制比可能不够,为了排除是探头自身原因带来的问题,通常采用探头红黑短接,接入MOS或IGBT的G极,测量波形,理论中差模信号为零,输出波形应无干扰,若测出以下波形,则说明共模干扰影响还是大的,综合评估共模是否产生较大干扰。
上图共模峰峰值有2.64V,说明共模抑制指标还可以,实际驱动波形电压有15V,实测波形以看不到失真为宜。共模影响一般发生在开关处,波形中容易产生震荡。
通常,还有种实际可行方法,采用两只相同型号的差分探头,一只测量GS,一只红黑短接测量G端,实际波形为两只探头波形相减,即可得到正确差模波形。此处假设同种系列的同型号的探头共模抑制比一样,且所处的电磁环境一致。