增强型P沟道mos管（如si2333ds）开关条件

最新推荐文章于 2025-07-05 16:38:55 发布

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#pmos管 #电路设计 #场效应管 #MOSFET #增强型p沟道mos管

本文详细介绍了增强型P沟道MOS管，如SI2333DS，作为开关元件的工作原理。当Vgs（栅极-源极电压）大于0.4V时，MOS管导通，允许源极和漏极之间的电流流动。在实际应用中，通常将栅极连接到MCU控制引脚，源极连接到电源正极VCC，漏极连接到负载。电路设计中，P沟道MOS管常用于实现电路的高电平切换，确保在RF_CTRL低电平时，RF_RXD和RF_TXD的电压等于VDD。

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增强型P沟道mos管（如si2333ds）开关条件

pmos管作为开关使用时，是由Vgs的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。

Vgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当 S（source源极）电压 — G（gate栅极）极 > 0.4V 时，源极和漏极导通。

并且Vs = Vd ，S极电压等于D极电压。

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