SD NAND flash使用说明

本文介绍了一种适用于便携式或固定设备使用的SDNAND Flash存储解决方案,其供电电压范围广泛,从2.7V到3.6V,特别设计用于只读和读写操作。默认模式下,时钟频率可达25MHz,数据传输速率达到12.5MB/s;高速模式下,时钟频率提高至50MHz,数据传输速率翻倍至25MB/s。文章还提供了两种常用型号的详细参数,包括容量、尺寸、封装及可用性。

常用型号

Part IDCapacitySizePackageAvailability
CSNP1GCR01-
BMW
1Gb6*8mmLGA-8Now
CSNP4GCR01-
BMW
4Gb6*8mmLGA-8Now


 

产品特点

主要针对便携式或固定式使用

供电电压范围2.7~3.6V

专为只读和读写SD NAND设计

默认模式时钟范围:0~25MHz,数据可达 12.5MB/s

高速模式时钟范围:0~50MHz,数据可达25MB/s

管脚定义:

PINNAMETYPE1DESCRIPTION
1DAT2I/O/PPData Line[Bit2]
2CD/DAT32I/O/PPSD Nand Detect/
Data Line[Bit3]
3SCLKIClock
4VSSSSupply Voltage Ground
5CMDPPCommand/Response
6DAT0I/O/PPData Line[Bit0]
7DAT1I/O/PPData Line[Bit1]
8VCCSSupply Voltage

 

封装

SymbolMinNomMaxNote
A0.650.750.85
B1.171.271.37
C6.9077.10
D7.9088.10
E5.9066.10
F10.901111.1
H0.750.850.95

参考电路

 

其他详细信息可参考SD NAND flash 手册

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