硬件电路(13)-场效应晶体管FET

一、概述

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

 二、绝缘栅场效应管MOS-FET

 1、定义

MOS-FET是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。

2、分类

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。

        按照场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅极电压之后才有漏极电流的称为增强型。耗尽型MOSFET主要用于高频放大的领域。对于开关电源及功率变换电源只用到增强型MOSFET而不会使用耗尽型MOSFET。

        在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3、工作原理