好奇Air724UG硬件设计？来看这里！第三部分

今天我们分享第三部分。

四、射频接口

天线接口管脚定义如下：

表格 19：RF_ANT 管脚定义

管脚名	序号	描述
LTE_ANT	46	LTE 天线接口
BT/WiFi_ANT	34	蓝牙/WiFi 共用天线接口

4.1 射频参考电路

 

图表 20：射频参考电路

注意：

• 连接到模块RF天线焊盘的RF走线必须使用微带线或者其他类型的 RF走线，阻抗必须控制在50欧姆左右。
• 在靠近天线的地方预留Π型匹配电路，两颗电容默认不贴片，电阻默认贴0欧姆，待天线厂调试好天线以 后再贴上实际调试的匹配电路；

4.2 RF 输出功率

表格 20：RF 传导功率

频段	最大	最小
LTE FDD B1/B3/B5/B8	23dBm +-2dB	<-44dBm
LTE TDD B34/38/B39/B40/B41	23dBm +-2dB	<-42dBm

4.3 RF 传导灵敏度

表格 21：RF 传导灵敏度

频段	接收灵敏度
LTE FDD B1(10M)	< -99dBm
LTE FDD B3(10M)	< -99dBm
LTE FDD B5(10M)	< -100dBm
LTE FDD B8(10M)	< -99dBm
LTE TDD B34(10M)	< -99dBm
LTE TDD B38(10M)	< -99dBm
LTE TDD B39(10M)	< -99dBm
LTE TDD B40(10M)	< -99dBm
LTE TDD B41(10M)	< -99dBm

4.4 工作频率

3GPP 频段	发送	接收	单位
LTE-FDD B1	1920~1980	2110~2170	MHz
LTE-FDD B3	1710~1785	1805~1880	MHz
LTE-FDD B5	824~849	869~894	MHz
LTE-FDD B8	880~915	925~960	MHz
LTE-TDD B34	2010~2025	2010~2025	MHz
LTE-TDD B38	2570~2620	2570~2620	MHz
LTE-TDD B39	1880~1920	1880~1920	MHz
LTE-TDD B40	2300~2400	2300~2400	MHz
LTE-TDD B41	2555~2655	2555~2655	MHz
WIFI/BT	2400-2483	2400-2483	MHz

4.5 推荐RF 焊接方式

如果连接外置天线的射频连接器是通过焊接方式与模块相连的，请务必注意连接线的剥线方式及焊接方法， 尤其是地要焊接充分，请按照下图中正确的焊接方式进行操作，以避免因焊接不良引起线损增大。

 

图表 21：射频焊接方式建议

五、电器特性，可靠性，射频特性

5.1 绝对最大值

下表所示是模块数字、模拟管脚的电源供电电压电流最大耐受值。

表格 22：绝对最大值

参数	最小	最大	单位
VBAT	-0.3	4.7	V
VBUS	-0.3	5.5	V
电源供电峰值电流	0	1	A
电源供电平均电流（TDMA一帧时间）	0	0.7	A
数字管脚处电压	-0.3	VDDIO+0.3	V
模拟管脚处电压(ADC)	-0.3	4.7	V

5.2 推荐工作条件

表格 23：推荐工作条件

参数	最小	典型	最大	单位
VBAT	3.3	3.8	4.3	V
VBUS	3.3	5.0	5.25	V

5.3 工作温度

表格 24：工作温度

温度	最低	典型	最高	单位
正常工作温度	-35	25	75	℃
受限工作温度	-40~-35		75~85	℃
存储温度	-45		90	℃

5.4 功耗

5.4.1 模块工作电流

测试仪器：综测仪 R&S CMW500，程控电源 安捷伦 66319D

测试条件：VBAT=3.8V，环境温度 25℃，插入白卡，连接综测仪 CMW500

参数	测试条件		最小	典型	最大	单位
IVBAT	漏电流	第一次上电		30		uA
		开机后关机（RTC 关闭）		2		uA
		开机后关机（RTC 正常工作）		220		uA
	待机电流	LTE-TDD Pagingcycle=128		1.78		mA
		LTE-FDD Pagingcycle=128		1.8		mA
	飞行模式 AT+CFUN=4			1.39		mA
	LTE-FDD B1 CH300 BW=10M LTE-FDD B3 CH1575 BW=10M	TX power =   23dbm		470		mA
		TX power = -42dbm		151		mA
		TX power =   23dbm		514		mA
		TX power = -42dbm		152		mA
	LTE-FDD B5 CH2525 BW=10M	TX power =   23dbm		522		mA
		TX power = -42dbm		138		mA
	LTE-FDD B8 CH3625 BW=10M LTE-TDD B34 CH36275 BW=10M	TX power =   23dbm		624		mA
		TX power = -42dbm		138		mA
		TX power =   23dbm		275		mA
		TX power = -42dbm		115.4		mA

5.4.2 实网模拟长连接功耗

测试仪器：程控电源 安捷伦 66319D

测试条件：VBAT=3.8V，环境温度 25℃

插入移动SIM 卡，实网注册频段：B40 实网信号强度（CESQ）：72

参数	测试条件	典型	单位
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，1 分钟心跳间隔 （默认配置）	7.79	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，5 分钟心跳间隔 （默认配置）	3.11	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，1 分钟心跳间隔 （超低功耗 AT*RTIME=1）	3.93	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，5 分钟心跳间隔 （超低功耗 AT*RTIME=1）	2.25	mA

插入联通SIM 卡，实网注册频段：B1 实网信号强度（CESQ）：60

参数	测试条件	典型	单位
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，1 分钟心跳间隔 （默认配置）	7.62	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，5 分钟心跳间隔 （默认配置）	3.82	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，1 分钟心跳间隔 （超低功耗 AT*RTIME=1）	4.39	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，5 分钟心跳间隔 （超低功耗 AT*RTIME=1）	3.07	mA

参数	测试条件	典型	单位
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，1 分钟心跳间隔 （默认配置）	8.33	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，5 分钟心跳间隔 （默认配置）	3.79	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，1 分钟心跳间隔 （超低功耗 AT*RTIME=1）	3.84	mA
IVBAT	TCP 连接，自动休眠，5 分钟心跳间隔 （超低功耗 AT*RTIME=1）	2.03	mA

插入电信SIM 卡，实网注册频段：B1 实网信号强度（CESQ）：62

5.5 静电防护

在模块应用中，由于人体静电，微电子间带电摩擦等产生的静电，通过各种途径放电给模块，可能会对模 块造成一定的损坏，所以  ESD保护必须要重视，不管是在生产组装、测试，研发等过程，尤其在产品设计中， 都应采取防 ESD保护措施。如电路设计在接口处或易受 ESD点增加 ESD保护，生产中带防ESD手套等。

下表为模块重点PIN脚的ESD耐受电压情况。

表格 25：ESD 性能参数（温度：25℃,  湿度：45%）

管脚名	接触放电	空气放电
VBAT,GND	±5KV	±10KV
LTE_ANT	±5KV	±10KV
Others	±0.5KV	±1KV

以上是本篇文章第三部分，还有最后一部分，下一篇分享。