校园招聘渐入高峰,希望大家通过我的书可以找到合适的工作。

《C语言深度解剖》新版本增加了面试和简历写作指导,修正了初稿错误,受到读者好评,对求职者在找工作过程中起到积极作用。作者建议读者深入阅读,主动思考并动手实践,同时分享了读者通过学习本书获得工作提升的真实案例。

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《C语言深度解剖》今年7月已由北航出版社出版发行,各大新华书店有售。最近已经进入台北某著名书店销售。

不过建议学生朋友在网上买,好像能便宜点。

 

 

新版修正了网友指出的问题,并增加了如何应对面试,如何写简历等内容,希望能帮到学生朋友。

当然,已经有朋友来信说,本书在找工作中起到了关键作用。

 

 

 

对于朋友们的来信,我实在没有精力一一回复,先在这里统一回答一些共通的问题:

 

1,连续收到很多朋友的来信或留言,指出了网络版初稿的错误,再次深表感谢。

这些错误基本都在新版中修正了。

 

2,也有些朋友想要新版的电子版,这个我只能说比较遗憾。因为与出版社有相关合约,请与理解。

 

3,也有些朋友在询问书中一些习题的答案。我想说的是,这些问题的答案都在书中能找到。

我不直接给答案的原因就是想让读者多动脑,多动手。

 

4,还有部分高中生朋友,我还是建议先努力考取大学,然后再学习C语言等相关知识。现在不是学C语言的时候。

这几位朋友的来信,我均已及时回复,希望不会影响到你考大学。

 

5,至于想拜师的朋友们,实在很抱歉。我目前没有更多的精力,而且,我目前也已经不具体做技术了。我相信,只要肯学,哪里都能学到东西。

 

6,出版社的朋友们,感谢你们的赏识,本书已经出版。我正在酝酿一本项目管理相关的书,以后有机会再合作。谢谢。

 

 

7,周立功老师,多次收到您编写教材的邀请,但苦于精力和时间有限,目前还没有和您进一步沟通,抱歉。等我忙完这段时间再和您联系。

 

8,咨询培训班的朋友们,我最近没有开班计划。感谢厚爱。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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